公开(公告)号：CN1617326A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410100543.7

申请日：2004-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜棋皓 ,  吴赫祥 ,  李政佑 ,  朴大根

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 制造在互连孔的下部侧壁处具有斜面的半导体器件的方法，包括在具有下部导电层的半导体衬底上顺序形成蚀刻终止层和层间电介质层。通过选择性蚀刻层间电介质层露出部分蚀刻终止层。通过除去部分露出的蚀刻终止层在蚀刻终止层内形成台阶。并且，台阶形成在露出的蚀刻终止层的凹陷部分和用层间电介质层覆盖的蚀刻终止层的高出部分之间的边界处。除去部分层间电介质层以露出部分蚀刻终止层的高出部分。并且，各向异性蚀刻露出的凹陷和高出部分，以露出下部导电层并形成具有斜面的互连孔，其中斜面由在互连孔的下部侧壁处的剩余蚀刻终止层构成。

公开(公告)号：CN100350592C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410100543.7

申请日：2004-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜棋皓 ,  吴赫祥 ,  李政佑 ,  朴大根

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 制造在互连孔的下部侧壁处具有斜面的半导体器件的方法包括在具有下部导电层的半导体衬底上顺序形成蚀刻终止层和层间电介质层。通过选择性蚀刻层间电介质层露出部分蚀刻终止层。通过除去部分露出的蚀刻终止层在蚀刻终止层内形成台阶。并且，台阶形成在露出的蚀刻终止层的凹陷部分和用层间电介质层覆盖的蚀刻终止层的高出部分之间的边界处。除去部分层间电介质层以露出部分蚀刻终止层的高出部分。并且，各向异性蚀刻露出的凹陷和高出部分，以露出下部导电层并形成具有斜面的互连孔，其中斜面由在互连孔的下部侧壁处的剩余蚀刻终止层构成。