公开(公告)号：CN101359718A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810136087.X

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明琎 ,  河龙湖 ,  朴斗焕 ,  朴正熙 ,  申喜珠

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/24273

Abstract: 一种制造相变存储器器件的方法，包括：在第一层中形成开口，在该开口中和第一层上形成相变材料，将相变材料加热到足以使开口中的相变材料回流的第一温度，其中第一温度小于相变材料的熔融点，并且在将相变材料加热到第一温度之后，对相变材料构图，以限定开口中的相变元件。