公开(公告)号：CN118800729A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410313075.9

申请日：2024-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 迈赫迪·萨热米 ,  阿拉文德·库马尔 ,  何铭 ,  哈索诺·锡姆卡 ,  穆罕默德·阿胡桑·乌尔·卡里姆 ,  瑞贝卡·帕克

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件及制造方法和公共输出堆叠晶体管的制造方法。根据一个或更多个实施例的用于制造半导体器件的方法可以包括：在栅极和沟道的堆叠的第一侧和第二侧处生长第一外延层；在第一外延层上施加牺牲层；在牺牲层上生长第二外延层；去除牺牲层；以及在栅极和沟道的堆叠的第一侧处在第一外延层和第二外延层上沉积金属层。

公开(公告)号：CN119092515A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410553486.5

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阿拉文德·库马尔 ,  迈赫迪·萨热米 ,  何铭 ,  哈索诺·锡姆卡 ,  穆罕默德·阿胡桑·乌尔·卡里姆 ,  瑞贝卡·帕克

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了场效应晶体管、反相器标准单元和制造单元的方法。所述场效应晶体管包括：基底；沟道，在基底上，沟道包括主干和多个叉齿，主干包括硅，主干沿竖直方向从基底延伸，所述多个叉齿包括硅，所述多个叉齿沿水平方向从主干延伸并且沿着竖直方向彼此间隔开；界面层，围绕沟道的主干和所述多个叉齿；介电层，在界面层上并且围绕沟道的主干和所述多个叉齿；以及金属栅极，在介电层上并且围绕沟道的主干和所述多个叉齿。