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公开(公告)号:CN112771682B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN201980064151.4
申请日:2019-10-15
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种发光二极管(LED)包括:器件基板;第一半导体层,在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂;第二半导体层,在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂;有源层,在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光;透明电极层,与所述第二半导体层的上部相邻;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,在所述器件基板和所述第一半导体层之间,所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接,其中,由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。
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公开(公告)号:CN118382930A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202280081660.X
申请日:2022-12-12
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 根据实施例的显示设备可以包括:微型发光器件;至少两个器件侧电极,布置在微型发光器件中;驱动基底,微型发光器件连接到驱动基底;至少两个驱动基底侧电极,布置在驱动基底上;金属层,用于将器件侧电极和驱动基底侧电极连接;以及孔隙部分,设置在器件侧电极和驱动基底侧电极连接的部分处,其中,孔隙部分具有多边形剖面形状,多边形剖面形状相对于穿过相邻的器件侧电极之间的中心和相邻的驱动基底侧电极之间的中心的中心线线对称。
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公开(公告)号:CN112771682A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201980064151.4
申请日:2019-10-15
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种发光二极管(LED)包括:器件基板;第一半导体层,在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂;第二半导体层,在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂;有源层,在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光;透明电极层,与所述第二半导体层的上部相邻;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,在所述器件基板和所述第一半导体层之间,所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接,其中,由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。
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