公开(公告)号：CN110534561B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910141074.X

申请日：2019-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴仲健 ,  朴星一 ,  朴宰贤 ,  李炯锡 ,  朴恩实 ,  李允逸

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案；在鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极；位于第一栅电极的侧壁上并且位于鳍型图案中的源极/漏极区域；在衬底上沿第一方向延伸的分隔结构，分隔结构包括第一沟槽并与鳍型图案间隔开，并且分割第一栅电极；位于分隔结构的侧壁上并且覆盖源极/漏极区域的层间绝缘层，层间绝缘层包括第二沟槽，第二沟槽的下表面低于第一沟槽的下表面；以及连接到源极/漏极区域并且填充第一沟槽和第二沟槽的接触。

公开(公告)号：CN110534561A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910141074.X

申请日：2019-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴仲健 ,  朴星一 ,  朴宰贤 ,  李炯锡 ,  朴恩实 ,  李允逸

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案；在鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极；位于第一栅电极的侧壁上并且位于鳍型图案中的源极/漏极区域；在衬底上沿第一方向延伸的分隔结构，分隔结构包括第一沟槽并与鳍型图案间隔开，并且分割第一栅电极；位于分隔结构的侧壁上并且覆盖源极/漏极区域的层间绝缘层，层间绝缘层包括第二沟槽，第二沟槽的下表面低于第一沟槽的下表面；以及连接到源极/漏极区域并且填充第一沟槽和第二沟槽的接触。