公开(公告)号：CN118057932A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311520369.0

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南汉旻 ,  朴曾焕 ,  俞昌渊

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/10 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/10 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了一种半导体器件及包括其的电子系统。所述半导体器件包括：字线，所述字线设置在衬底上并且在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；串选择线，所述串选择线设置在所述字线上；存储串，所述存储串在所述衬底上沿所述第一方向延伸，每个存储串包括在所述第一方向上延伸穿过所述字线的第一沟道以及由所述字线围绕所述第一沟道构成的存储单元；位线，所述位线电连接到所述存储串；以及跨接线，所述跨接线连接到所述串选择线。

公开(公告)号：CN118265301A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311377307.9

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南汉旻 ,  朴曾焕 ,  郭判硕

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储单元区域和外围电路区域，存储单元区域包括：多条位线，多条位线中的每条位线沿第一方向延伸；以及多个上接合焊盘，外围电路区域包括：页缓冲器电路；多个下接合焊盘，设置在页缓冲器电路上方并且多个下接合焊盘中的每个下接合焊盘连接到多个上接合焊盘中的相应的上接合焊盘；以及多条贯通布线，多条贯通布线中的每条贯通布线沿第一方向延伸。多个下接合焊盘包括：第一下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第一线中；以及第二下接合焊盘，设置在沿第一方向延伸的第二线中。多条贯通布线包括至少一条第一贯通布线，该至少一条第一贯通布线在第一线和第二线之间延伸，并且延伸跨过页缓冲器电路。