公开(公告)号：CN116456722A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202211596802.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫旭 ,  康有善 ,  高永珉 ,  金烔永

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和一种包括其的电子系统。半导体装置包括：衬底；单元阵列结构，其包括堆叠在衬底上的多个电极；竖直沟道结构，其穿过所述单元阵列结构并且连接至衬底；导电焊盘，其在竖直沟道结构的上部中；单元阵列结构上的层间绝缘层；位线，其在单元阵列结构上；位线接触件，其将位线电连接至导电焊盘；以及第一应力释放层，其在层间绝缘层的顶表面上在单元阵列结构与位线之间。第一应力释放层包括有机硅聚合物，并且第一应力释放层的碳浓度高于层间绝缘层的碳浓度。

公开(公告)号：CN119136555A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410062987.3

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫旭 ,  金烔永 ,  闵丙宪

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/10

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件和电子系统。该三维半导体存储器件包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的层间介电层和栅电极；竖直沟道结构，穿透堆叠结构；以及分离结构，跨堆叠结构之间沿第一方向延伸。分离结构包括：第一部分，从衬底沿竖直方向延伸；以及第二部分，在第一部分上并且包括与第一部分的材料不同的材料。第二部分的顶表面在与竖直沟道结构的顶表面的水平相同的水平处。