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发明公开
用于制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119069367A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410157438.4

申请日：2024-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘光龙 , 申宇晸 , 金一焕 , 朴昌敏 , 全喜善

IPC: H01L21/56 , H01L21/8238 , H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法可以包括：形成包括彼此相对的第一表面和第二表面的第一衬底；在第一表面上形成第一半导体元件；将第一衬底粘附到第二衬底上，使得第二衬底的上表面面向第一衬底的第一表面；去除第一衬底的边缘区域；形成围绕第一衬底的第一侧面的钝化层；以及在第一衬底的第二表面上形成第二半导体元件。钝化层可以不形成在第一衬底的第二表面上。

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