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发明公开
半导体封装件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116110895A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211085024.2

申请日：2022-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛镛津 , 俞先香 , 李元宰 , 张宇翼

IPC: H01L23/66 , H01L23/31 , H01L21/56

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：封装基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基板上；模制层，所述模制层位于所述封装基板上以覆盖所述半导体芯片，所述模制层具有第一侧表面和设置在所述第一侧表面处的第一沟槽，并且所述第一沟槽从所述模制层的顶表面向所述模制层的底表面延伸；天线图案，所述天线图案位于所述模制层上；以及第一连接端子，所述第一连接端子填充所述第一沟槽。所述天线图案通过所述第一连接端子电连接至所述封装基板。

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