公开(公告)号：CN113571492A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110408671.1

申请日：2021-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁义潭 ,  文泂烈 ,  朴相俊 ,  李圭夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触，并且具有在比所述第一接合焊盘的上表面更低的高度处的上表面。所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。

公开(公告)号：CN113053910A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011515121.1

申请日：2020-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁义潭 ,  禹映范 ,  金炳圭 ,  金恩知 ,  白承祐

IPC: H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：绝缘结构；多个水平层，在绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；导电材料图案，接触绝缘结构；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料，竖直结构包括竖直部分和突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，竖直部分的宽度比突出部分的宽度大，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。

公开(公告)号：CN215834519U

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202120776154.5

申请日：2021-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁义潭 ,  文泂烈 ,  朴相俊 ,  李圭夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触，并且具有在比所述第一接合焊盘的上表面更低的高度处的上表面。所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。