量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体形成方法

    公开(公告)号:CN111234822B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201911203898.1

    申请日:2019-11-29

    摘要: 公开了量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体的形成方法,所述量子点包括核和设置在核上的壳,其中,核和壳中的一个包括包含锌和硫的第一半导体纳米晶体,并且核和壳中的另一个包括第二半导体纳米晶体,第二半导体纳米晶体具有与第一半导体纳米晶体的组成不同的组成,第一半导体纳米晶体还包括被构造为以卤化物的形式充当路易斯酸的金属和卤素,基于硫的总摩尔数,金属的量大于或等于大约10摩尔百分比(mol%),并且基于硫的总摩尔数,卤素的量大于或等于大约10mol%。

    量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置

    公开(公告)号:CN112592710B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202011065092.3

    申请日:2020-09-30

    摘要: 公开了量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置。所述量子点包括:纳米颗粒模板,包括包含II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体;量子阱,包括第二半导体纳米晶体并设置在纳米颗粒模板上,第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素;以及壳,包括第三半导体纳米晶体并设置在量子阱上,第三半导体纳米晶体包括II‑VI族化合物,其中,量子点不包括镉,第二半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小,第二半导体纳米晶体的带隙能比第三半导体纳米晶体的带隙能小,量子点包括附加金属,附加金属包括碱金属、碱土金属、铝、铁、钴、镍、铜、锌或它们的组合。

    量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置

    公开(公告)号:CN112592710A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011065092.3

    申请日:2020-09-30

    摘要: 公开了量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置。所述量子点包括:纳米颗粒模板,包括包含II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体;量子阱,包括第二半导体纳米晶体并设置在纳米颗粒模板上,第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素;以及壳,包括第三半导体纳米晶体并设置在量子阱上,第三半导体纳米晶体包括II‑VI族化合物,其中,量子点不包括镉,第二半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小,第二半导体纳米晶体的带隙能比第三半导体纳米晶体的带隙能小,量子点包括附加金属,附加金属包括碱金属、碱土金属、铝、铁、钴、镍、铜、锌或它们的组合。

    量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体形成方法

    公开(公告)号:CN111234822A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201911203898.1

    申请日:2019-11-29

    摘要: 公开了量子点、其制造方法、复合物、装置和纳米晶体的形成方法,所述量子点包括核和设置在核上的壳,其中,核和壳中的一个包括包含锌和硫的第一半导体纳米晶体,并且核和壳中的另一个包括第二半导体纳米晶体,第二半导体纳米晶体具有与第一半导体纳米晶体的组成不同的组成,第一半导体纳米晶体还包括被构造为以卤化物的形式充当路易斯酸的金属和卤素,基于硫的总摩尔数,金属的量大于或等于大约10摩尔百分比(mol%),并且基于硫的总摩尔数,卤素的量大于或等于大约10mol%。