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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
摘要： 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN111234821B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910622025.8
申请日：2019-07-10
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , G02F1/13357 , G09F9/33 , H10K50/115 , H10K50/805 , H10K85/10 , H10K59/10 , G03F7/004 , G03F7/027
摘要： 公开了量子点、量子点聚合物复合物和包括量子点聚合物复合物的显示装置，其中，量子点包括：半导体纳米晶体核，包括铟(In)和磷(P)；第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中，量子点不包括镉，其中，在量子点中，硫对硒的摩尔比小于或等于大约2.5:1。
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公开(公告)号：CN108102640B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
摘要： 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
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公开(公告)号：CN113388386A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110274434.0
申请日：2021-03-15
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/13357 , B82Y20/00 , B82Y30/00
摘要： 公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
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公开(公告)号：CN111234821A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910622025.8
申请日：2019-07-10
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , G02F1/13357 , G09F9/33 , H01L51/50 , H01L51/52 , G03F7/004 , G03F7/027
摘要： 公开了量子点、量子点聚合物复合物和包括量子点聚合物复合物的显示装置，其中，量子点包括：半导体纳米晶体核，包括铟(In)和磷(P)；第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中，量子点不包括镉，其中，在量子点中，硫对硒的摩尔比小于或等于大约2.5:1。
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公开(公告)号：CN117186895A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311148731.6
申请日：2019-07-10
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , G02F1/13357 , G09F9/33 , H10K50/115 , H10K59/10 , H10K85/10 , G03F7/004 , G03F7/027 , B82Y20/00 , B82Y40/00
摘要： 公开了量子点、量子点聚合物复合物和包括量子点聚合物复合物的显示装置，其中，量子点包括：半导体纳米晶体核，包括铟(In)和磷(P)；第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中，量子点不包括镉，其中，在量子点中，硫对硒的摩尔比小于或等于大约2.5:1。
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公开(公告)号：CN112592710B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011065092.3
申请日：2020-09-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 公开了量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置。所述量子点包括：纳米颗粒模板，包括包含II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体；量子阱，包括第二半导体纳米晶体并设置在纳米颗粒模板上，第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素；以及壳，包括第三半导体纳米晶体并设置在量子阱上，第三半导体纳米晶体包括II‑VI族化合物，其中，量子点不包括镉，第二半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，第二半导体纳米晶体的带隙能比第三半导体纳米晶体的带隙能小，量子点包括附加金属，附加金属包括碱金属、碱土金属、铝、铁、钴、镍、铜、锌或它们的组合。
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公开(公告)号：CN110028963B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
IPC分类号： C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号：CN108089399B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711176831.4
申请日：2017-11-22
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/033 , G02F1/1335
摘要： 公开了光敏性树脂组合物、复合物、层合结构体、以及包括其的显示装置和电子装置，所述光敏性树脂组合物包括(A)光转换材料；(B‑1)包含金属的化合物；(C)能光聚合的单体；(D)光聚合引发剂；和(E)溶剂，其中所述包含金属的化合物包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构；所述复合物包括其中分散有光转换材料的聚合物基体，其中所述聚合物基体包括*‑S‑M‑S‑*(M为Zn、Al、Mg、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ba、Au、Hg、或Tl)结构和酯连接基团；所述层合结构体包括所述复合物；所述显示装置包括所述层合结构体。
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公开(公告)号：CN112592710A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011065092.3
申请日：2020-09-30
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 公开了量子点、包括其的组合物和图案化膜及包括其的显示装置。所述量子点包括：纳米颗粒模板，包括包含II‑VI族化合物的第一半导体纳米晶体；量子阱，包括第二半导体纳米晶体并设置在纳米颗粒模板上，第二半导体纳米晶体包括除了铝之外的IIIA族金属和V族元素；以及壳，包括第三半导体纳米晶体并设置在量子阱上，第三半导体纳米晶体包括II‑VI族化合物，其中，量子点不包括镉，第二半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，第二半导体纳米晶体的带隙能比第三半导体纳米晶体的带隙能小，量子点包括附加金属，附加金属包括碱金属、碱土金属、铝、铁、钴、镍、铜、锌或它们的组合。
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