公开(公告)号：CN1819299B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200510135849.0

申请日：2005-12-23

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 杨南喆 ,  金慧东 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻 ,  李宪贞

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

Abstract: 披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。