公开(公告)号：CN1819299B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200510135849.0

申请日：2005-12-23

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 杨南喆 ,  金慧东 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻 ,  李宪贞

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

Abstract: 披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。

公开(公告)号：CN1783501B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200510137064.7

申请日：2004-01-20

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金慧东

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。

公开(公告)号：CN101976671B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010273756.5

申请日：2005-11-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 具在本 ,  申铉秀 ,  徐旼彻 ,  牟然坤

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板，包括：设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层，该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。

公开(公告)号：CN101924140B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010136377.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0017

Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。