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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103855194B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103296087B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN119012807A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410600810.4
申请日：2024-05-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/121 , H10K59/126 , H10K59/131 , H10K59/80 , H10K59/12 , H01L27/15 , H01L27/12 , G09F9/33
Abstract: 一种显示装置包括：第一显示区域，包括被配置为发光的多个发射区域；以及第二显示区域，与第一显示区域邻近，其中，第二显示区域包括：多个发射区域；透射部分，被配置为透射光；薄膜晶体管，在基板上；像素限定层，在薄膜晶体管上以限定第二显示区域的多个发射区域，并且包括具有平坦的上表面的平坦部分和具有从平坦部分的上表面倾斜的上表面的锥形部分；以及像素电极，在薄膜晶体管上以被像素限定层暴露并且与锥形部分完全重叠。
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公开(公告)号：CN112216727B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010644893.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/131
Abstract: 提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基体基底，具有包括第一区域和第二区域的显示区域以及非显示区域；第一半导体层，包括多晶硅并在第二区域处；第一导电层，位于第一绝缘层上，并且包括在第一区域处的底栅电极和在第二区域处的第二‑第一栅电极；第二半导体层，包括氧化物并在第一区域处位于第二绝缘层上；第二导电层，位于第三绝缘层上，并且包括在第一区域处的顶栅电极和在第二区域处的第二‑第二栅电极；以及第三导电层，位于第四绝缘层上，并且包括连接到第二半导体层的第一源电极和第一漏电极以及连接到第一半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216727A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010644893.9
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基体基底，具有包括第一区域和第二区域的显示区域以及非显示区域；第一半导体层，包括多晶硅并在第二区域处；第一导电层，位于第一绝缘层上，并且包括在第一区域处的底栅电极和在第二区域处的第二‑第一栅电极；第二半导体层，包括氧化物并在第一区域处位于第二绝缘层上；第二导电层，位于第三绝缘层上，并且包括在第一区域处的顶栅电极和在第二区域处的第二‑第二栅电极；以及第三导电层，位于第四绝缘层上，并且包括连接到第二半导体层的第一源电极和第一漏电极以及连接到第一半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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公开(公告)号：CN115802808A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211067603.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/12
Abstract: 提供了一种显示面板和一种显示设备。所述显示面板包括：基底，包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域；多个第一像素电路，在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件；多个第二像素电路，布置在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件；多条连接线，分别将所述多个第二显示元件连接到所述多个第二像素电路；第一无机绝缘层，在所述基底上；下部有机绝缘层，在所述第一无机绝缘层上；以及第二无机绝缘层，在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上，其中，所述第二无机绝缘层包括暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口。
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公开(公告)号：CN103296087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN114530457A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111334305.2
申请日：2021-11-11
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种显示装置。显示装置包括：第一基体基底；第一阻挡层，设置在第一基体基底上；第二基体基底，设置在第一阻挡层上；第一子基底，设置在第二基体基底上并且包括选自由氟(F)、硼(B)、砷(As)、磷(P)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、砹(At)、硫(S)、硒(Se)、氩(Ar)和碲(Te)组成的组中的至少一种掺杂剂；第二阻挡层，设置在第一子基底上；第二缓冲层，设置在第二阻挡层上；第一缓冲层，设置在第二缓冲层上；至少一个晶体管，设置在第一缓冲层上；以及有机发光二极管，设置在至少一个晶体管上。
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公开(公告)号：CN111755474A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010175021.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 显示设备包括：基板，所述基板包括组件区、显示区以及提供在组件区和显示区之间的中区；布置在显示区中的薄膜晶体管；显示元件，所述显示元件包括像素电极、中间层和相对电极，其中像素电极电连接至薄膜晶体管；在薄膜晶体管和像素电极之间的彼此顺序堆叠的第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和钝化层；以及布置在中区中的槽，其中槽将包括在中间层中的有机材料层分割，其中槽提供在包括有机层和无机层的多层中，其中有机层布置在基板上，并且无机层堆叠在有机层上。
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