-
公开(公告)号：CN114282342A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111322071.X
申请日：2021-11-09
申请人： 三星(中国)半导体有限公司 , 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02
摘要： 提供了一种存储装置的故障预测方法和装置，所述方法包括：将实时采集的所述存储装置的SMART数据输入到多个基分类模型中的每个基分类模型，以获取每个基分类模型输出的针对实时采集的所述存储装置的SMART数据的分类结果，其中，每个基分类模型利用多个存储装置的历史SMART数据和/或在线采集的所述多个存储装置的SMART数据训练而获得；基于多个基分类模型的分类结果确定实时采集的所述存储装置的SMART数据是健康数据还是故障数据；基于预定时间窗口内采集到的所述存储装置的SMART数据被确定为健康数据的SMART数据的数量和被确定为故障数据的SMART数据的数量来预测所述存储装置是否将出现故障。
-
公开(公告)号：CN110033808B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201811446549.8
申请日：2018-11-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。
-
-
公开(公告)号：CN109003641B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810443660.5
申请日：2018-05-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种包括非易失性存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：进入通电模式；从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；如果开放存储器块中包括的擦除字线的数量不大于预设值，则向至少一条擦除字线施加编程电压以关闭开放存储器块；以及在通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。
-
公开(公告)号：CN109003641A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810443660.5
申请日：2018-05-10
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C16/16 , G06F12/0246 , G11C5/144 , G11C7/20 , G11C16/08 , G11C16/3495
摘要： 一种包括非易失性存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：进入通电模式；从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；如果开放存储器块中包括的擦除字线的数量不大于预设值，则向至少一条擦除字线施加编程电压以关闭开放存储器块；以及在通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。
-
公开(公告)号：CN115775019A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210678493.9
申请日：2022-06-15
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种存储设备及其操作方法。所述存储设备包括：存储器，被配置为存储用作神经网络中的输入的参数数据。所述存储设备还包括：存储控制器，被配置为从主机接收请求信号。所述存储控制器还被配置为：基于所述参数数据在神经网络中对日志数据进行编码，所述日志数据指示多个组件的上下文；并向所述主机发送经编码的日志数据。
-
公开(公告)号：CN114610522A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111203531.7
申请日：2021-10-15
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种操作存储设备的方法、操作主机设备的方法以及存储设备。所述操作存储设备的方法包括：经由存储设备的主机接口从外部设备接收用于请求关于存储设备的故障概率信息的命令，其中，存储设备包括第一组件和第二组件；以及响应于该命令，经由主机接口向外部设备提供关于存储设备的故障概率信息。
-
公开(公告)号：CN110033808A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811446549.8
申请日：2018-11-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。
-
公开(公告)号：CN112099730B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
申请人： 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
-
公开(公告)号：CN116403629A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211626979.4
申请日：2022-12-16
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种存储装置包括：存储器件，所述存储器件包括多个超级块，其中，每个超级块包括多个非易失性存储器的组中所包括的存储块；以及控制器，所述控制器用于控制所述存储器件，其中，所述控制器进行控制使得所述多个超级块当中的第一超级块被擦除以对从主机接收到的数据进行编程，进行控制以使得所述数据被编程在所述第一超级块中，进行控制使得所述第一超级块被选择为用于垃圾收集操作的受害超级块，并且进行控制使得在数据持续时间大于阈值时所述存储器件被执行介质扫描操作，其中，所述数据持续时间是第一时间点与第二时间点之间的间隔，在所述第一时间点所述第一超级块被擦除，在所述第二时间点所述第一超级块被选择为所述受害超级块。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.052 秒)
