公开(公告)号：CN104518007A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410514099.7

申请日：2014-09-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够实现电场集中的缓和的超级结结构。该半导体装置具有：第1导电类型的半导体区，其形成于元件区和外周区；第2导电类型的多个柱状区，它们在外周区的半导体区中形成为包围元件区的环状；第2导电类型的多个场限制区，它们与至少一部分的柱状区的上部分别连接并配置于外周区的半导体区的上表面；绝缘膜，其覆盖场限制区并配置于外周区的半导体区上；以及连接场板电极，其通过形成于绝缘膜的开口部与从元件区与外周区之间的边界朝外周区的外缘相邻配置的一对场限制区中的边界侧的场限制区接触，并且经由绝缘膜到达一对场限制区中的外缘侧的场限制区。

公开(公告)号：CN101548386B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200780044955.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明提供绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法。当施加反方向电压时能够成为断开状态的IGFET，具有：N+型的第一漏区(6)、N-型的第二漏区(7)、P型的第一体区(8)、P-型的第二体区(9)、N型的第一源区(10a)和N+型的第二源区(10b)。在形成于半导体衬底(1)上的沟槽(11)内，配置栅绝缘膜(5)和栅极(4)。源极(3)与N型的第一源区(10a)和N+型的第二源区(10b)欧姆接触，并且与P-型的第一体区(9)肖特基势垒接触。

公开(公告)号：CN102047429A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120525.6

申请日：2009-05-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811

Abstract: IGFET 20的半导体基体21具有漏极区域34及35、P型的第一主体区域36、P-型的第二主体区域37、N型的第一源极区域38和N+型的第二源极区域39，进一步具有构成IGFET单元的多个成对的沟31。在沟31内配置栅绝缘膜25和栅电极24。源电极23肖特基接触于第二主体区域37。第二漏极区域35与第一主体区域36的PN结43露出于半导体基体的一个主面。在沟31的外侧也设置第一主体区域36、第二主体区域37和第一源极区域38，而且设置N型的保护半导体区域40。沟31有助于IGFET的小型化及低导通电阻化。通过降低与沟31相比更外侧的第二主体区域3与源电极23之间的接触面积，可谋求IGFET的反向耐压的提高。

公开(公告)号：CN104518007B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410514099.7

申请日：2014-09-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够实现电场集中的缓和的超级结结构。该半导体装置具有：第1导电类型的半导体区，其形成于元件区和外周区；第2导电类型的多个柱状区，它们在外周区的半导体区中形成为包围元件区的环状；第2导电类型的多个场限制区，它们与至少一部分的柱状区的上部分别连接并配置于外周区的半导体区的上表面；绝缘膜，其覆盖场限制区并配置于外周区的半导体区上；以及连接场板电极，其通过形成于绝缘膜的开口部与从元件区与外周区之间的边界朝外周区的外缘相邻配置的一对场限制区中的边界侧的场限制区接触，并且经由绝缘膜到达一对场限制区中的外缘侧的场限制区。

公开(公告)号：CN102047429B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980120525.6

申请日：2009-05-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811

Abstract: IGFET 20的半导体基体21具有漏极区域34及35、P型的第一主体区域36、P-型的第二主体区域37、N型的第一源极区域38和N+型的第二源极区域39，进一步具有构成IGFET单元的多个成对的沟31。在沟31内配置栅绝缘膜25和栅电极24。源电极23肖特基接触于第二主体区域37。第二漏极区域35与第一主体区域36的PN结43露出于半导体基体的一个主面。在沟31的外侧也设置第一主体区域36、第二主体区域37和第一源极区域38，而且设置N型的保护半导体区域40。沟31有助于IGFET的小型化及低导通电阻化。通过降低与沟31相比更外侧的第二主体区域37与源电极23之间的接触面积，可谋求IGFET的反向耐压的提高。

公开(公告)号：CN101809742A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880105775.8

申请日：2008-09-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7806 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种作为开关装置的复合半导体装置(20)具有第1和第2主端子(11、12)、主控制端子(13)、主IGFET(14)、作为保护切换元件的副IGFET(15)、和栅电阻(16)。主IGFET(14)连接于第1和第2主端子(11、12)之间。副IGFET(15)连接于主IGFET(14)的漏极电极(D1)与栅极电极(G1)之间。副IGFET(15)的栅极电极(G2)连接于主IGFET(14)的源极电极(S1)。副IGFET(15)在向主IGFET(14)施加反向电压时导通。由此，达到作为主切换元件的主IGFET(14)的保护。

公开(公告)号：CN1619833A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410091437.7

申请日：2004-11-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  高桥良治

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/72 ,  H01L21/328 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种带有设置于P型集电区(11)和P型(基区)之间(14)的N型缓冲区IGBT(10)。该缓冲区(12)中使用砷作为N型杂质。该缓冲区(12)具有相对较高的掺杂浓度，等于或大于5×1017cm－3，并且具有相对较小的厚度，约为2μm～10μm。

公开(公告)号：CN101809742B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880105775.8

申请日：2008-09-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7806 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种作为开关装置的复合半导体装置(20)具有第1和第2主端子(11、12)、主控制端子(13)、主IGFET(14)、作为保护切换元件的副IGFET(15)、和栅电阻(16)。主IGFET(14)连接于第1和第2主端子(11、12)之间。副IGFET(15)连接于主IGFET(14)的漏极电极(D1)与栅极电极(G1)之间。副IGFET(15)的栅极电极(G2)连接于主IGFET(14)的源极电极(S1)。副IGFET(15)在向主IGFET(14)施加反向电压时导通。由此，达到作为主切换元件的主IGFET(14)的保护。

公开(公告)号：CN101548386A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044955.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥良治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明提供绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法。当施加反方向电压时能够成为断开状态的IGFET，具有：N+型的第一漏区(6)、N－型的第二漏区(7)、P型的第一体区(8)、P－型的第二体区(9)、N型的第一源区(10a)和N+型的第二源区(10b)。在形成于半导体衬底(1)上的沟槽(11)内，配置栅绝缘膜(5)和栅极(4)。源极(3)与N型的第一源区(10a)和N+型的第二源区(10b)欧姆接触，并且与P－型的第一体区(9)肖特基势垒接触。

公开(公告)号：CN1619832A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410091436.2

申请日：2004-11-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  高桥良治

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种具有一含有如硼等P型杂质的P型集电区(11)。一含有相对较高浓度砷的相对较薄的N型缓冲区(12)通过一抗扩散区(22)形成于集电区(11)之上。抗扩散区(22)的厚度等于或略小于器件制造过程中P型杂质由集电区(11)向缓冲区(12)扩散的厚度。