公开(公告)号：CN101743339A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200980000568.0

申请日：2009-02-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/457 ,  C04B35/64

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/775 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种即使导入较高的输入电力也能减少溅射时产生的电弧，并且能有效地防止溅射靶自身破裂的溅射靶。本发明的溅射靶是通过粉末冶金方法制造的板状溅射靶，其特征在于，存在于该溅射靶内的针孔所占有的比例，在该溅射靶内的下表面一侧附近比上表面一侧附近更高。

公开(公告)号：CN101631893A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008239.6

申请日：2008-11-26

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/086 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧的产生且能够抑制裂纹和裂缝产生的溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶。本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理。

公开(公告)号：CN101555585B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910134430.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅射靶，其在使用冷却水冷却靶材的同时进行溅射等情况下，在背板上发生翘曲时也不产生靶材的裂纹或脱落等。本发明的溅射靶的特征在于，包括：靶材；背板；至少一个缓冲板，其被设置在所述靶材和所述背板之间；接合材料，将所述靶材、背板以及缓冲板接合成一体。

公开(公告)号：CN101578245A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001576.2

申请日：2008-08-04

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男 ,  高桥诚一郎 ,  林博光

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明的目的在于，通过使用能以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用低体积电阻值的ITO烧结体，从而可以提供一种能够获得低电阻且具有优良非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒In2O3母相内存在由In4Sn3O12组成的微粒的ITO(Indium－Tin－Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有倒角的近似立方体的形状。

公开(公告)号：CN101555585A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910134430.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅射靶，其在使用冷却水冷却靶材的同时进行溅射等情况下，在背板上发生翘曲时也不产生靶材的裂纹或脱落等。本发明的溅射靶的特征在于，包括：靶材；背板；至少一个缓冲板，其被设置在所述靶材和所述背板之间；接合材料，将所述靶材、背板以及缓冲板接合成一体。

公开(公告)号：CN101631893B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880008239.6

申请日：2008-11-26

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/086 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧的产生且能够抑制裂纹和裂缝产生的溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶。本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理。

公开(公告)号：CN101622208A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880001594.0

申请日：2008-08-04

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男 ,  高桥诚一郎 ,  林博光

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的在于，通过使用能够以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用体积电阻值较低的ITO烧结体，可以提供一种能够获得低电阻且具有优良的非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒的In 2 O 3 母相内存在由In 4 Sn 3 O 12 所组成微粒的ITO(Indium-Tin-Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有，自粒子的假想中心以放射状形成有针状突起的立体星状形状。

公开(公告)号：CN101360844A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051021.X

申请日：2006-10-18

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 小岛丰 ,  松前和男 ,  葛城成吾

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够更有效地减少电弧放电发生的溅射靶、适用于所述溅射靶的溅射靶材及其制造方法。溅射靶材是在油分存在的情况下进行了切削加工的溅射靶材，其特征在于，附着在溅射前的该靶材表面上的油膜厚度为1.5nm以下。溅射靶的特征在于，包括所述溅射靶材和背衬板。溅射靶材的制造方法以及溅射靶的制造方法的特征在于，具有使蒸汽接触靶材的表面，从而清洗该靶材表面的清洗工序。

公开(公告)号：CN119546567A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380048166.8

申请日：2023-07-04

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 真崎贵则 ,  松前和男 ,  妹尾雄一 ,  小平慎

IPC: C07C63/307 ,  C07F1/08

Abstract: 提供一种体积平均粒径为1.0μm以上且30.0μm以下、粒径D10相对于粒径D90之比D10/D90为0.35以上且1.00以下的金属有机结构体。金属有机结构体的制造方法包括对包含金属离子供体、多齿配体和溶剂的混配物同时施加离心力和剪切力的离心剪切工序，在该制造方法中，通过包括将供给至前述离心剪切工序的混配物回收并再次供给至离心剪切工序的工序、或者使前述多齿配体的中值粒径D50为0.1μm以上且50.0μm以下，从而可以适合地制造该金属有机结构体。

公开(公告)号：CN101743339B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200980000568.0

申请日：2009-02-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松前和男

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/457 ,  C04B35/64

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/775 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种即使导入较高的输入电力也能减少溅射时产生的电弧，并且能有效地防止溅射靶自身破裂的溅射靶。本发明的溅射靶是通过粉末冶金方法制造的板状溅射靶，其特征在于，在该溅射靶的纵剖面中，作为出现于该纵剖面上的长轴费雷特直径为50μm以下的空洞的针孔所占有的比例，在该溅射靶内的作为粘合面的下表面一侧附近比作为溅射面的上表面一侧附近更高。