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公开(公告)号:CN1826198A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200480020988.2
申请日:2004-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种以往没有的微粒银粉,该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性,并且杂质量少。为了达到上述目的,通过使银氨络合物水溶液S1流经规定的流路(以下称之为“第一流路”)、设置合流在第一流路的途中的第二流路b、通过该第二流路b流入有机还原剂以及根据需要的添加剂S2、在第一流路a和第二流路b的合流点m上进行接触混合并还原析出,用过量乙醇进行洗涤,从而得到a.根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径D1A为0.6μm以下;b.微晶直径为10nm以下;c.烧结开始温度为240℃以下;d.碳含量为0.25wt%以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。
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公开(公告)号:CN1826197A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200480020987.8
申请日:2004-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以往没有的微粒银粉,该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性。为了达到上述目的,通过使银氨络合物水溶液S1流经规定的流路(以下称之为“第一流路”)、设置在第一流路的途中与之合流的第二流路b、通过该第二流路b流入有机还原剂以及根据需要的添加剂S2、在第一流路a和第二流路b的合流点m上进行接触混合而还原析出,从而得到a.根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径D1A为0.6μm以下;b.微晶直径为10nm以下;c.烧结开始温度为240℃以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。
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公开(公告)号:CN101218051A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200680024526.7
申请日:2006-07-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0044
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有良好的粒度分布的高结晶性银粉的制造方法及采用该制造方法得到的高结晶性银粉,该高结晶性银粉是含有微粒区域粉粒的高结晶性银粉。为了达到该目的,作为制造银粉的方法,采用高结晶银粉的制造方法,其特征在于,配制将明胶、硝酸银以及硝酸溶于水中的液温为45℃~55℃的第1水溶液,以及溶解了异抗坏血酸及/或抗坏血酸与水溶性有机酸的第2水溶液,然后,往第1水溶液中缓慢添加第2水溶液,添加终止后进行搅拌,使粒子生长而生成银粒子,然后,静置,使银粒子沉降,然后,废弃上清液,进行过滤、洗涤,得到高结晶银粉。
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公开(公告)号:CN1925941A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200580006356.5
申请日:2005-02-04
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/0044 , B22F9/24 , Y10T428/12014
Abstract: 本发明的目的是提供一种高结晶性银粉及其制造方法,该高结晶性银粉为微粒、分散性好、粒度分布不狭窄而较宽、微晶大的高结晶性银粉。为了达到此目的,高结晶性银粉的制造方法的特征在于,把含硝酸银、分散剂及硝酸的第1水溶液,与含抗坏血酸的第2水溶液加以混合。上述分散剂,优选聚乙烯基吡咯烷酮或明胶。采用上述方法制造高结晶性银粉。采用上述方法制造的高结晶性银粉,其微晶粒径为300以上,平均粒径D50为0.5μm~10μm,在700℃的长度方向热收缩率为±3%以内。优选该银粉的D90/D10为2.1~5.0。
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公开(公告)号:CN100455382C
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200480020987.8
申请日:2004-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以往没有的微粒银粉,该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性。为了达到上述目的,通过使银氨络合物水溶液S1流经规定的流路(以下称之为“第一流路”)、设置在第一流路的途中与之合流的第二流路b、通过该第二流路b流入有机还原剂以及根据需要的添加剂S2、在第一流路a和第二流路b的合流点m上进行接触混合而还原析出,从而得到a.根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径D1A为0.6μm以下;b.微晶直径为10nm以下;c.烧结开始温度为240℃以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。
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公开(公告)号:CN1942269A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200580011227.5
申请日:2005-04-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/02 , C23C24/10 , C23C26/02 , H01B1/02 , H01B1/22 , H05K1/095 , H05K3/4069 , Y10T428/12181
Abstract: 本发明的课题是提供一种由覆盖了具有比银的熔点温度低的分解温度的银化合物的银粉能够形成电子电路用导电性配线部的导电性膏用的覆盖有银化合物的银粉及其制造方法。作为为此的解决方式,在含有银化合物覆盖了银粒子表面的覆盖有银化合物的银粒子的覆盖有银化合物的银粉中,在应由含该银粉的导电性膏形成电子电路配线的基板焙烧时,通过具有比银的熔点温度低很多的分解温度的银化合物的热解,银化合物的银与覆盖有银化合物的银粒子彼此发生熔粘。
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公开(公告)号:CN100500333C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200480020988.2
申请日:2004-07-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种以往没有的微粒银粉,该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性,并且杂质量少。为了达到上述目的,通过使银氨络合物水溶液S1流经规定的流路(以下称之为“第一流路”)、设置合流在第一流路的途中的第二流路b、通过该第二流路b流入有机还原剂以及根据需要的添加剂S2、在第一流路a和第二流路b的合流点m上进行接触混合并还原析出,用过量乙醇进行洗涤,从而得到:a.根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径D1A为0.6μm以下;b.微晶直径为10nm以下;c.烧结开始温度为240℃以下;d.碳含量为0.25wt%以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。
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公开(公告)号:CN101384388A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200780005768.6
申请日:2007-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种银微粒子,该银微粒子显示不受分散剂影响的低温烧结性,且用于实现低电阻的杂质含量少,具有显示良好的粒子分散性的纳米级的粒径。为了实现上述目的,通过湿式还原法制造银微粒子,其特征在于,使含银盐溶液和含还原剂溶液混合而发生还原反应,从而得到银微粒子,其中,含银盐溶液含有银盐、螯合剂以及明胶,含还原剂溶液含有还原剂。而且,由该银微粒子的制造方法得到的银微粒子,其平均一次粒径为100nm以下,粒子分散性优良。
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