磁光记录介质
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1042257A

    公开(公告)日:1990-05-16

    申请号:CN89108072.4

    申请日:1989-10-17

    CPC classification number: G11B11/10582

    Abstract: 本发明提供了一种磁光记录介质,它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II),所述增强膜(I)是由SiOx(其中0<x<1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成,而所述磁光记录膜(II)是由[PdaPt1-a]y[RExTM1-x(其中至少50原子%的RF为Tb和/或Dy,其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm,TM为Fe和/或Co,且0≤a≤1,0.2<x<0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。

    磁光记录体
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1035007A

    公开(公告)日:1989-08-23

    申请号:CN88108562

    申请日:1988-12-10

    CPC classification number: G11B11/10589

    Abstract: 一种磁光记录体包括透明基片,第一层保护膜,磁光记录膜和第二层保护膜,所述的膜在所述的基片上以这次序叠层压制,该记录膜为一式:(Pt和/或Pd)y[RExTM1-x]1-y的无定形合金的薄膜,其中RE为由一组包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho选择出来的至少一种稀土元素,TM为由一组包括Fe和Co选择出来的至少一种过渡金属,且x和y为分别满足0.2<x<0.7和0.04<y<0.30的正数,并具有一垂直于该膜表面的磁化的平顺轴。

    磁光记录介质
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1018304B

    公开(公告)日:1992-09-16

    申请号:CN89108072.4

    申请日:1989-10-17

    CPC classification number: G11B11/10582

    Abstract: 本发明提供了一种磁光记录介质,它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II),所述增强膜(I)是由SiOx(其中0<x<1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成,而所述磁光记录膜(II)是由[Pdapt1-a]y[RExTM1-x](其中至少50原子%的RE为Tb和/或Dy,其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm,TM为Fe和/或Co,且0≤a≤1,0.2≤x≤0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。

    非晶态合金薄膜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1042025A

    公开(公告)日:1990-05-09

    申请号:CN88107243

    申请日:1988-10-17

    Abstract: 本发明涉及一种非晶态合金薄膜,它包括(i)由Fe和Co中选取的至少一个元素,(ii)从Pt和Pd中选取的至少一种元素和(iii)由说明书中(a)—(h)中选取的至少一种元素,所述薄膜具有一个垂直于其表面的易磁化轴。该薄膜具有良好的磁光特性和抗氧化性能,其矫顽磁力和克耳角基本上不随时间而变化。此外,所述薄膜还具有高的反射率。

    磁光记录膜
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1032408A

    公开(公告)日:1989-04-12

    申请号:CN88103789

    申请日:1988-06-20

    Abstract: 根据本发明,此处提供磁光记录膜,该膜包括:(i)Pt和/或Pd(ii)稀土元素(RE),和(iii)Fe和/或Co,其中Pt和/或Pd以大于10原子%但不大于30原子%的量存在,Fe和/或Co以至少40原子%但不大于70原子%的量存在,以及Co/(Fe+Co)比(原子比)是0—0.3。本发明的磁光记录膜有优良的抗氧化性能并能被使用一个长时期,此外,它们的C/N比大,噪声度低并且也有优良的偏磁场可靠性。

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