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公开(公告)号：CN102549092B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201080034008.X
申请日：2010-08-03
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , B32B27/32 , C09J123/04 , C09J123/10 , C09J125/10 , C09J153/02
CPC classification number: C08L23/0815 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B2250/24 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2419/00 , B32B2551/00 , B32B2605/00 , C08L23/08 , C08L23/10 , C08L2205/02 , C08L2666/04 , C09J7/22 , C09J7/241 , C09J7/38 , C09J125/10 , C09J2423/00 , C09J2425/00 , C08L2666/02
Abstract: 一种表面保护膜，其特征在于，至少包括表面层(A)和粘合层(X)2层，所述表面层(A)由聚烯烃树脂形成，所述粘合层(X)由(X-1)～(X-4)组成的组合物形成，其中(X-1)为以熔点不足50℃或观测不到熔点的碳原子数为3以上的α-烯烃为主成分的α-烯烃聚合物或共聚物，其含量为0～50重量％；(X-2)为选自熔点在50～140℃的范围的丙烯聚合物或共聚物(X-2a)及熔点在50℃以上140℃以下的范围的乙烯类聚合物或共聚物(X-2b)中的至少一种以上的烯烃聚合物或共聚物，其含量为0.5～50重量％；(X-3)为苯乙烯类弹性体，其含量为10～98重量％；(X-4)为低聚物，其含量为0～50重量％，(X-1)、(X-2)、(X-3)和(X-4)的总量为100重量％。
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公开(公告)号：CN102549092A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080034008.X
申请日：2010-08-03
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社 , 三井化学株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , B32B27/32 , C09J123/04 , C09J123/10 , C09J125/10 , C09J153/02
CPC classification number: C08L23/0815 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B2250/24 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2419/00 , B32B2551/00 , B32B2605/00 , C08L23/08 , C08L23/10 , C08L2205/02 , C08L2666/04 , C09J7/22 , C09J7/241 , C09J7/38 , C09J125/10 , C09J2423/00 , C09J2425/00 , C08L2666/02
Abstract: 一种表面保护膜，其特征在于，至少包括表面层(A)和粘合层(X)2层，所述表面层(A)由聚烯烃树脂形成，所述粘合层(X)由(X-1)～(X-4)组成的组合物形成，其中(X-1)为以熔点不足50℃或观测不到熔点的碳原子数为3以上的α-烯烃为主成分的α-烯烃聚合物或共聚物，其含量为0～50重量％；(X-2)为选自熔点在50～140℃的范围的丙烯聚合物或共聚物(X-2a)及熔点在50℃以上140℃以下的范围的乙烯类聚合物或共聚物(X-2b)中的至少一种以上的烯烃聚合物或共聚物，其含量为0.5～50重量％；(X-3)为苯乙烯类弹性体，其含量为10～98重量％；(X-4)为低聚物，其含量为0～50重量％，(X-1)、(X-2)、(X-3)和(X-4)的总量为100重量％。
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公开(公告)号：CN1643657A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806441.3
申请日：2003-03-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基体材料膜的单侧表面上形成粘结剂层，该粘结剂层含有：100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在－50～5℃的聚合物(A)；10～100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Tb)大于5℃，小于等于50℃的聚合物(B)；和相对于100重量份的上述(A)及(B)的合计量的0.1～10重量份的在1个分子中具有2个或2个以上的交联反应性官能团的交联剂(C)，所述粘结剂层的厚度是5～50μm，该半导体晶片表面保护用粘结膜具有优良的粘合性、防止破损性和非污染性。
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公开(公告)号：CN1649099A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510002444.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/00 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。
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公开(公告)号：CN1431682A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03100405.9
申请日：2003-01-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记要件A、要件B或要件C中至少一个要件的层。要件A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×109～1×1010Pa的高弹性模数特性(A)；要件B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×108Pa以下的高弹性模数特性(B)；要件C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5％的吸收膨胀性高弹性模数特性(C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1411037A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02143541.3
申请日：2002-09-27
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3 tb…(1)。
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公开(公告)号：CN1643098A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806324.7
申请日：2003-03-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/68 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2201/128 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×105Pa、厚度为3～100μm的粘合剂层。根据本发明，在进行半导体晶圆背面研削及除去在背面生成的破碎层等处理的过程中，即使在半导体晶圆被薄层化至厚度为100μm或100μm以下的情况下，也可以防止半导体晶圆的破损及污染等。
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公开(公告)号：CN1204604C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN03100405.9
申请日：2003-01-10
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记特性A、特性B或特性C中至少一个特性的层。特性A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×109～1×1010Pa的高弹性模数特性(A)；特性B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×108Pa以下的高弹性模数特性(B)；特性C：23℃和90%RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。
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公开(公告)号：CN101116182B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200680004146.7
申请日：2006-02-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/683 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。
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公开(公告)号：CN101116182A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004146.7
申请日：2006-02-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/683 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。
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