公开(公告)号：CN101930977A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910146387.0

申请日：2009-06-19

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何增谊 ,  隋晓明 ,  王健 ,  沈思杰

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接触孔中具有钨间隔层的功率MOSFET器件及其制造方法。该功率MOSFET器件的特点是，包括被隔离在沟槽内的沟槽栅极和在接触孔中形成的源极/体区域接触；还包括淀积在接触孔底部角落的Ti/TiN阻挡层与铝金属层之间的钨间隔层，以覆盖接触孔的底部角落。本发明由于在接触孔底部角落处添加了钨间隔层，可以有效地防止当接触孔底部角落处存在凹坑，且因Ti/TiN阻挡层不具有良好的台阶覆盖性，使硅和铝直接接触，造成铝穿刺的问题，进一步避免了功率MOSFET器件因Idss漏电短路而失效，保证了器件产品质量。

公开(公告)号：CN101930977B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910146387.0

申请日：2009-06-19

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何增谊 ,  隋晓明 ,  王健 ,  沈思杰

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接触孔中具有钨间隔层的功率MOSFET器件及其制造方法。该功率MOSFET器件的特点是，包括被隔离在沟槽内的沟槽栅极和在接触孔中形成的源极/体区域接触；还包括淀积在接触孔底部角落的Ti/TiN阻挡层与铝金属层之间的钨间隔层，以覆盖接触孔的底部角落。本发明由于在接触孔底部角落处添加了钨间隔层，可以有效地防止当接触孔底部角落处存在凹坑，且因Ti/TiN阻挡层不具有良好的台阶覆盖性，使硅和铝直接接触，造成铝穿刺的问题，进一步避免了功率MOSFET器件因Idss漏电短路而失效，保证了器件产品质量。