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公开(公告)号：CN113021181B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
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公开(公告)号：CN113977453B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111312061.8
申请日：2021-11-08
摘要： 本发明公开了一种提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫的抛光层表面包含有两种不同微孔尺寸的区域：具有孔径1～50μm的I区小孔区和具有孔径为200～1000nm的II区微孔区。本发明的化学机械抛光垫具有特殊孔径分布的微孔，可以保证在更先进制程、更窄线宽的抛光条件下，得到最佳的表面平整度以及不产生较大的划伤。
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公开(公告)号：CN113977453A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111312061.8
申请日：2021-11-08
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫的抛光层表面包含有两种不同微孔尺寸的区域：具有孔径1～50μm的I区小孔区和具有孔径为200～1000nm的II区微孔区。本发明的化学机械抛光垫具有特殊孔径分布的微孔，可以保证在更先进制程、更窄线宽的抛光条件下，得到最佳的表面平整度以及不产生较大的划伤。
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公开(公告)号：CN113021181A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
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公开(公告)号：CN115106931B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210719217.2
申请日：2022-06-23
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有迷宫形凹槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括至少一抛光层，所述抛光层表面设有被隔离凸台分隔的不连续凹槽，所述不连续凹槽包括主凹槽和副凹槽，所述主凹槽以抛光垫中心为圆心呈不连续的同心圆分布，所述副凹槽将相邻的主凹槽相连，所述副凹槽和隔离凸台在所述主凹槽上分别均匀间隔分布，形成迷宫形不连续凹槽通道。本发明的抛光垫通过主凹槽、副凹槽和隔离凸台的交替排布增加抛光液在沟槽内的停留时间，延长抛光液流动路径，同时使碎屑能够及时排出，从而在降低抛光液消耗的条件下减少缺陷，并增加研磨平坦性。
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公开(公告)号：CN114918824B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210754859.6
申请日：2022-06-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种具有径向微沟槽的抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有一旋转中心，以及与所述旋转中心同心的抛光轨迹区和环向沟槽，所述抛光轨迹区含有径向微沟槽，所述径向微沟槽的取向满足抛光时抛光介质的流型函数。本发明的抛光垫能够合理改变抛光介质在抛光垫上的停留时间，有效提升抛光速率的同时，能显著降低抛光时的终点温度，并能够提高片内和片间的均匀性。
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公开(公告)号：CN114952609B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210430544.6
申请日：2022-04-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26 , B24B37/22 , B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00
摘要： 本发明公开了一种新旧抛光液含比可控的CMP抛光垫、抛光方法及其应用，所述抛光垫的抛光层至少包含：1）在所述抛光垫径向以折线形式相连的径向抛光液传送沟槽，所述径向抛光液传送沟槽每间隔至少4个周向同心圆沟槽角度进行一次偏折，每次偏折后的径向抛光液传送沟槽的宽度变窄、深度变深；2）以相邻的两道径向抛光液传送沟槽为侧边的至少4个周向同心圆沟槽组成的扇形区域。本发明的抛光垫利用复合型沟槽中径向沟槽的角度偏折和宽深变化来控制新旧抛光液在周向同心圆沟槽中的含比，进而提升抛光效果。
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公开(公告)号：CN115816291A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211583964.4
申请日：2022-12-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有改善抛光晶圆抛光后“边缘效应”缺陷的化学机械抛光垫的制备方法，通过在抛光层抛光轨迹区域下表面开设孔洞区，并对孔洞内部填充聚氨酯材料，固化后形成抛光层从而制得所述化学机械抛光垫。本发明还涉及制得的化学机械抛光垫及其在化学机械抛光中的应用。本发明的方法使抛光垫抛光轨迹区域物性发生改变，通过提高抛光轨迹中心区域抛光层的硬度来提高晶圆中心区域的研磨速率，以缓解“边缘效应”的产生。
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公开(公告)号：CN112959212B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110299881.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括抛光层，其具有环形抛光轨迹区、位于抛光轨迹区内的圆形中间区及抛光轨迹区外部的环形外缘区；以及位于抛光层表面的沟槽，包括圆周向沟槽及径向沟槽，所述径向沟槽呈放射状由最靠近抛光垫圆心方向的沟槽处沿半径方向向外延伸，至抛光轨迹区与环形外缘区交界处的沟槽处，由一条沟槽发散为至少两条放射状沟槽。本发明的沟槽能够在最大量存储抛光液的情况下不降低抛光碎屑的排出，从而能得到稳定的抛光速率，提高产品良率，延长抛光垫使用寿命。
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公开(公告)号：CN113246015B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110568446.4
申请日：2021-05-25
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有终点检测窗的抛光垫及其应用，所述抛光垫至少包括抛光表面和终点检测窗，所述抛光表面至少具有第一及第二沟槽，所述第一沟槽是以抛光垫中心为圆心的同心圆或同心多边形形状，所述第二沟槽位于紧邻窗口与第一沟槽相交的两面处。本发明的具有终点检测窗的抛光垫能够避免抛光过程中对抛光晶圆的表面平整度的破坏，同时减少由于抛光窗口而造成的划伤。
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