公开(公告)号：CN1438692A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02154277.5

申请日：2002-12-17

Applicant: 新明和工业株式会社 ,  筑波半导体技工株式会社 ,  日商日制电子贸易股份有限公司

Inventor： 丸中正雄 ,  土井聪也 ,  能势功一 ,  泷川志朗 ,  大竹圣司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/32 ,  C23C14/546 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/76877

Abstract: 用内部可保持真空状态的真空室，通过配设在真空室内的基材支架保持形成半导体布线膜的晶片，通过配置在真空室内的蒸发源蒸发半导体布线膜的材料，将基材支架作为一个电极通过高频电源供给用于使真空室内产生等离子体的高频功率。