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公开(公告)号：CN105862044A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510357090.4
申请日：2015-06-25
申请人： 盟智科技股份有限公司
IPC分类号： C23F3/04
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04
摘要： 本发明公开一种pH值介于8.5至13.5之间的化学机械抛光浆液，用于对不锈钢基材进行抛光，其包括含量为10至50wt％的研磨颗粒；含量为0.001至2.0wt％的散热剂；含量为0.001至1.0wt％的氧化剂；含量为10至5000ppm的润滑提升剂；以及含量为10至5000ppm的发泡抑制剂，其中该研磨颗粒的粒径尺寸介于20至500nm之间。根据本发明之碱性抛光浆液能于化学机械抛光后达到提高抛光效果、表面质量与抛光后之表面保护效益。
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公开(公告)号：CN103011175A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210339962.0
申请日：2012-09-14
申请人： 盟智科技股份有限公司
IPC分类号： C01B33/113
摘要： 本发明提供一种吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法。吸附有金属离子的二氧化硅为通过过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅。上述制造方法包括下列步骤：首先，提供溶液，在溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐。接着，加热溶液，使二氧化硅与过硫酸盐进行反应，而获得通过过硫酸盐修饰的二氧化硅。然后，在溶液中加入金属离子源，金属离子源解离出金属离子，通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附金属离子，而获得吸附有金属离子的二氧化硅。
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公开(公告)号：CN101525751B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810008014.2
申请日：2008-03-03
申请人： 盟智科技股份有限公司
发明人： 张松源
IPC分类号： C23F11/173
摘要： 本发明中作为腐蚀抑制剂的肌胺酸化合物为肌胺酸及其盐类化合物，该腐蚀抑制剂用于化学机械研磨组成物，可于化学机械研磨时于加工对象的表面形成一层保护膜，以避免加工对象受到腐蚀，亦可改良因使用习有腐蚀抑制剂(例如苯并三唑；BTA)，而于加工对象表面形成残渣的缺失。以下为本发明最能显示发明特征的化学式。
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公开(公告)号：CN101525563B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810008013.8
申请日：2008-03-03
申请人： 盟智科技股份有限公司
发明人： 张松源
摘要： 本发明中作为腐蚀抑制剂的肌胺酸化合物为肌胺酸及其盐类化合物，该腐蚀抑制剂用于化学机械研磨的后研磨清洁剂中，可于后CMP(化学机械研磨)清洁时可保护加工对象表面，避免被腐蚀。本发明最能显示发明特征的化学式。
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公开(公告)号：CN103725455A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210527533.6
申请日：2012-12-05
申请人： 盟智科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02082 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02074
摘要： 本发明提供一种清洁组合物，此清洁组合物包括至少一多胺多羧酸或其盐类、至少一溶剂、至少一经取代或未经取代的苯乙胺以及水。其中，溶剂选自由二醇类所构成的族群。
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公开(公告)号：CN105585965A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510736853.6
申请日：2015-11-03
申请人： 盟智科技股份有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
CPC分类号： C09G1/02 , C09G1/00 , H01L21/3212 , H01L21/3213 , C23F3/04 , H01L21/30608
摘要： 本发明涉及一种pH介于7至12范围内的研磨组成物，用于硅锗基材、硅基材和二氧化硅基材的化学机械抛光。所述研磨组成物包括有研磨颗粒、具有六价钼或五价钒的化合物、阴离子添加物、含卤素氧化物的化合物或其盐类以及载剂，所述具有六价钼或五价钒的化合物可有效提升硅锗合金与硅的移除率，同时提高硅锗与硅相对于二氧化硅的选择性。
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公开(公告)号：CN103725455B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210527533.6
申请日：2012-12-05
申请人： 盟智科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/02082 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02074
摘要： 本发明提供一种半导体制程用的清洁组合物，此清洁组合物包括至少一多胺多羧酸或其盐类、至少一溶剂、至少一经取代或未经取代的苯乙胺以及水。其中，溶剂选自由二醇类所构成的族群。
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公开(公告)号：CN102533126B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110034689.6
申请日：2011-01-30
申请人： 盟智科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种研磨组成物及其用途，所述研磨组成物，其组成总量为100重量％，且包括研磨粒、表面活性剂、抗结晶剂及水。研磨粒的含量为20重量％至60重量％。表面活性剂的含量为0.001重量％至10重量％。抗结晶剂的含量为0.001重量％至10重量％。其中，组成所述研磨组成物的剩余部分为水。
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公开(公告)号：CN103361028B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210175726.X
申请日：2012-05-31
申请人： 盟智科技股份有限公司
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供一种研磨液组成物，包括非离子型表面活性剂，该非离子型表面活性剂是由下列式(1)表示：R-(OCH2CH2)x-OH 式(1)其中x为1～50的整数。
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公开(公告)号：CN103011175B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210339962.0
申请日：2012-09-14
申请人： 盟智科技股份有限公司
IPC分类号： C01B33/113
摘要： 本发明提供一种吸附有金属离子的二氧化硅及其制造方法。吸附有金属离子的二氧化硅为通过过硫酸盐修饰的吸附有金属离子的二氧化硅。上述制造方法包括下列步骤：首先，提供溶液，在溶液中包括二氧化硅及过硫酸盐。接着，加热溶液，使二氧化硅与过硫酸盐进行反应，而获得通过过硫酸盐修饰的二氧化硅。然后，在溶液中加入金属离子源，金属离子源解离出金属离子，通过过硫酸盐修饰的二氧化硅吸附金属离子，而获得吸附有金属离子的二氧化硅。
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