叠层体
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107428537B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201680019426.9

    申请日:2016-03-18

    IPC分类号: C01B32/16

    摘要: 本发明提供一种叠层体,所述叠层体具有碳纳米管片及第一保护材料,其中,所述碳纳米管片具有多个碳纳米管优先沿片的面内一个方向排列的结构,所述第一保护材料的与所述碳纳米管片相邻的面的表面粗糙度Ra1为0.05μm以上。

    复合纳米纤维片材
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108349195B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201680053441.5

    申请日:2016-09-14

    摘要: 本发明所描述的实例包括已经“浸渗”有聚合物的复合纳米纤维片材(即,所述聚合物已经流过所述纳米纤维片材的表面并进入由纳米纤维限定的片材内的至少一些空间中)。当所述浸渗性聚合物是粘合剂并且所述粘合剂从所述纳米纤维片材的一个主表面浸渗所述纳米纤维片材时,形成粘合剂纳米纤维带。在其他描述的实例中,所述片材中的纳米纤维的一些部分已用至少一个金属层适形地涂覆。

    碳纳米管片的改性方法、经过改性的碳纳米管片、粘合片的制造方法、以及粘合片

    公开(公告)号:CN109153573A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780027239.X

    申请日:2017-04-28

    摘要: 本发明提供一种碳纳米管片的改性方法,该方法包括:在结构体上载置一片或多片碳纳米管片的工序,以及在常温下将所述结构体上的碳纳米管片暴露于液体物质的蒸气或粒子的工序,其中,所述碳纳米管片具有多个碳纳米管优先沿片的面内一个方向排列而成的结构,所述结构体具有载置所述碳纳米管片的载置部,所述载置部具有不与所述碳纳米管片接触的非接触部及与所述碳纳米管片接触的接触部,将所述非接触部与所述接触部的边界、和在俯视载置部时与所述碳纳米管的排列方向平行且跨越非接触部的直线在非接触部中的交点之间的最长距离设为L1,并将所述非接触部与所述接触部的边界、和在俯视载置部时与所述碳纳米管的排列方向相交且跨越非接触部的直线在非接触部中的交点之间的最长距离设为L2时,在L1大于L2的情况下,至少L2为大于0mm且小于10mm,在L1小于L2的情况下,至少L1为大于0mm且小于10mm,在L1等于L2的情况下,L1及L2为大于0mm且小于10mm。

    纳米纤维片材
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109070542A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780027765.6

    申请日:2017-06-09

    发明人: C.黄 伊藤雅春

    IPC分类号: B32B15/00 B32B27/00 B32B25/00

    摘要: 本发明描述了一种由基底和取向纳米纤维层构成的纳米纤维片材。所述片材的纳米纤维可在共同方向上取向。在一些取向上,光吸收性片材可吸收99.9%以上以及一些情况下99.95%以上的入射在所述片材上的光的强度。本发明还描述了用于制造光吸收性片材的方法。

    纳米纤维织物
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112243409B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201980032764.X

    申请日:2019-03-26

    发明人: M·D·利马

    摘要: 本发明描述了一种包括粘合剂的纳米纤维织物。所述纳米纤维可在形成为织物之前进行加捻或者加捻和卷曲两者。所述粘合剂可被选择性地施加或渗透在所述纳米纤维的包括所述纳米纤维织物的部分内。所述粘合剂使得所述纳米纤维织物能够连接到底层衬底,甚至在所述底层衬底具有三维拓扑也是如此,同时所述粘合剂在所述织物上的选择性位置限制所述粘合剂与所述纳米纤维织物的所述纳米纤维之间的接触面积。这种有限的接触面积可有助于保护纳米纤维的有益性质(例如,热导率、电导率、红外(IR)辐射透明度),这些性质原本可能由于粘合剂的存在而劣化。

    用于EUV光刻的超薄超低密度膜

    公开(公告)号:CN115943346A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202180047759.3

    申请日:2021-09-15

    IPC分类号: G03F1/00

    摘要: 公开了一种过滤形成的纳米结构护层膜。所述过滤形成的纳米结构护层膜包括多条碳纳米纤维,所述多条碳纳米纤维随机交叉以形成呈平面定向的互连网络结构。所述互连结构在厚度处于3nm的下限到100nm的上限范围内的情况下允许至少92%的高最小EUV透射率,以允许有效地进行EUV光刻处理。