公开(公告)号：CN105689831A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510920686.0

申请日：2015-12-11

Applicant: 株式会社SS技术 ,  KNE株式会社

Inventor： 小山贤秀 ,  永尾和英

IPC: B23K1/012 ,  B23K3/08

Abstract: 一种蒸汽回流焊装置，其包括加热炉，加热炉包括预热区、均匀加热区、熔化区和冷却区，过热蒸汽分别被供应至预热区、均匀加热区、熔化区和冷却区。该装置进一步包括炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区，由加热器加热的具有100℃或更高温度的空气或氮气分别被供应至炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区，炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区分别与预热区的上游侧和冷却区的下游侧相邻地设置。炉进口侧防结露区的气压和炉出口侧防结露区的气压高于预热区的气压和冷却区的气压。

公开(公告)号：CN103828076A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280038340.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 株式会社STEQ ,  株式会社SS技术 ,  四国计测工业株式会社

Inventor： 石原政道 ,  小山贤秀 ,  村上昭二 ,  小野坂仁伸

IPC: H01L33/60 ,  H01L23/12 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/056 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供具有在耐热性、散热性及耐久性方面表现优异的电绝缘层而且由在成本性及工艺性方面表现优异的工艺进行制造的半导体装置。本发明的半导体装置，是具备直接或间接安装有半导体芯片的第1基板、以及形成于第1基板的表面的起到作为反射材的功能的白色绝缘层的半导体装置，半导体芯片是LED，第1基板的至少表面为金属，在第1基板表面上涂布包含纳米粒子化了的SiO2及白色无机颜料的液材，通过烧成而形成白色绝缘层与金属层的层叠构造，优选上述烧成后的白色绝缘层中所含有的SiO2及白色无机颜料的比例为80重量%以上。

公开(公告)号：CN105689831B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201510920686.0

申请日：2015-12-11

Applicant: 株式会社SS技术 ,  KNE株式会社

Inventor： 小山贤秀 ,  永尾和英

IPC: B23K1/012 ,  B23K3/08

Abstract: 一种蒸汽回流焊装置，其包括加热炉，加热炉包括预热区、均匀加热区、熔化区和冷却区，过热蒸汽分别被供应至预热区、均匀加热区、熔化区和冷却区。该装置进一步包括炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区，由加热器加热的具有100℃或更高温度的空气或氮气分别被供应至炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区，炉进口侧防结露区和炉出口侧防结露区分别与预热区的上游侧和冷却区的下游侧相邻地设置。炉进口侧防结露区的气压和炉出口侧防结露区的气压高于预热区的气压和冷却区的气压。