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公开(公告)号：CN119899366A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411948716.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
IPC: C08G65/00 , C14C11/00 , D06M15/53 , D06M15/263 , C08F283/10 , C08F220/14 , C08F220/18
Abstract: 本发明公开了一种含氟聚醚羧酸烯丙基酯的制备方法、应用，涉及含氟聚醚羧酸烯丙基酯制备及应用技术领域，包括以下步骤：S1、将烯丙基醇类试剂加入反应器中，并通入氮气；S2、再按烯丙基醇类试剂:全氟聚醚羧酸摩尔比为1.0~1.5:1的比例加入分子量为550~1000的全氟聚醚羧酸，搅拌升温至85~120℃，反应4~10h，得到粗产物；S3、再将粗产物萃取、分液、干燥、抽滤后，得到纯化后的含氟聚醚羧酸烯丙基酯，得到的含氟聚醚羧酸烯丙基酯可替代全氟烷基物质制备皮革处理剂、织物表面处理剂，使其具备氟表面活性剂的憎水憎油的优异性能，同时也满足环保要求。
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公开(公告)号：CN118995149B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411488078.2
申请日：2024-10-24
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于服务器热量管理的全氟聚醚冷却液及应用，属于氟化液冷却技术领域，具体是将烷氧基环三磷腈衍生物作为助剂，与全氟聚醚混合搅拌均匀，即可制得全氟聚醚冷却液。本发明首次提出了将烷氧基环三磷腈衍生物用于制备适用于服务器热量管理的全氟聚醚冷却液中的应用，通过将全氟聚醚与烷氧基环三磷嗪衍生物组合使用，利用衍生物中特有的六元环状N=P共轭结构，可以高效低成本的解决冷却介质的反酸问题，保证其在长期运行过程中酸值稳定不发生变化。
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公开(公告)号：CN117820642A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311815740.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于化妆品的三甲基硅烷氧基硅酸酯及其制备方法和控制系统，属于有机硅树脂制备技术领域。不仅提出了一种特定性能的三甲基硅烷氧基硅酸酯（重均分子量Mw为4000‑5000，粘度为7.5‑8.5cst，羟基质量百分比为2.5‑4%，M/Q比值为0.6‑0.8），能赋予后续产品化妆品具有较好的成膜性、柔性和附着力，且不掉粉等；而且还提出一种相适应的制备方法，保证三甲基硅烷氧基硅酸酯能批量化、规模化和标准化生产，以及，还提出一种相配合的控制系统，保证三甲基硅烷氧基硅酸酯生产工艺的自动化控制，进而提高三甲基硅烷氧基硅酸酯生产效率（提高5‑10倍）和质量，为后续产品化妆品、乳化用品的制备提供有效的前提保证。
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公开(公告)号：CN116165236A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211601284.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司
IPC: G01N24/08
Abstract: 本发明公开了一种MQ硅树脂中硅羟基含量的测试方法，包括两种检测方式，一种是采用固态核磁共振硅谱定量表征水玻璃法合成的MQ硅树脂中硅羟基的质量分数；另一种采用固态核磁共振硅谱和液态核磁共振氢谱结合定量表征正硅酸乙酯法合成的MQ硅树脂中硅羟基的质量分数。由此可知，本发明分别针对水玻璃法和正硅酸乙酯法合成的MQ硅树脂，因其结构的不同，而采用固态核磁共振硅谱直接进行检测，或采用固态核磁共振硅谱和液态核磁共振氢谱相结合的方式进行检测，可用于定量表征MQ硅树脂中硅羟基的绝对含量，具有方法操作简单，不受水或其它杂质影响，准确率高的特点。
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公开(公告)号：CN115532200A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110733196.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司
IPC: B01J19/12 , B01J4/00 , C08G65/323
Abstract: 本发明公开了一种光催化氟化反应工艺，在紫外光照射下，使不稳定全氟聚醚原料与氟化剂气体进行氟化反应，控制反应温度为80～150℃，压力为0～0.5MPa，反应时间为5～40h，反应结束后，获得全氟聚醚油。本发明通过光催化氟化反应使不稳定全氟聚醚原料实现端基稳定化，可提高现有使用氟化剂进行氟化时存在的反应时间长、反应效率低等缺陷。
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公开(公告)号：CN115521449A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211276612.4
申请日：2022-10-19
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种全氟聚醚工作流体，采用结构式为Rf1‑O‑(CF(CF3)CF2O)m‑(CF2O)q‑Rf2的全氟聚醚油类聚合物，Rf1、Rf2为‑CF3、‑CF2CF3；m、q为重复单元数，m为3～8，q/m=0～0.3。具备在宽温域范围内兼具优异的流动性能、低挥发性能、优异的稳定性、高电绝缘性，以及与接触样件或电子元器件较好的相容性。因此，可作为媒体介质，结合温度控制单元、流体循环泵等在高低温循环冲击系统中应用，具体的，可开发研究出基于全氟聚醚工作流体的高低温循环冲击系统，以及基于全氟聚醚工作流体的高低温循环冲击测试方法，以用于模拟样件或电子元器件在不同的应用场景和环境条件下的工况条件，而不造成损伤和破坏。
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公开(公告)号：CN119307180B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411857845.2
申请日：2024-12-17
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司
IPC: C09D183/08 , C09D5/24 , C08G77/26 , C08G77/06
Abstract: 本发明公开了一种涂料组合物、抗静电保护涂层及制备方法，属于先进涂料及制备技术领域，本发明的涂料组合物包括摩擦起正（R+）、负（R‑）电硅烷单体组合、催化剂及溶剂，用于制备本征型抗静电的透明保护性涂层，且该涂层具有优异的的抗静电效果，可以在更薄的厚度下展现出更高的硬度、更优异的柔性和多功能性，在车载显示、3C电子产品等需要透明保护性涂层的领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN117801829A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311816047.0
申请日：2023-12-27
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
IPC: C09K23/42 , C07C68/00 , C07C69/96 , C11D1/02 , C11D1/83 , C11D3/20 , C11D3/30 , C11D11/00 , C11D1/72
Abstract: 本发明公开了一种电子线路板清洗用含氟表面活性剂及其制备方法、应用，涉及含氟表面活性剂应用技术领域，含氟表面活性剂采用全氟烯烃、氧气和至少含一个非氟原子的烯烃或炔烃的第三单体组成的混合气体通入全氟烯烃中，所述全氟烯烃与第三单体的质量比为4~15:1，再采用氨水进行混合，得到的酸值为90~126mg/g、表面张力≤15.00mN/m的含氟聚醚羧酸铵型阴离子表面活性剂，同时公开了制备该含氟表面活性剂的制备方法，使获得的含氟表面活性剂的性能指标稳定在该范围内，可用于制备电子线路板清洗用的水基清洗剂，以克服现有电子线路板清洗用的水基清洗剂中含氟表面活性剂的环保问题，产品清洗效果不理想和结构问题不宜推广使用的问题。
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公开(公告)号：CN117777425A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311634871.4
申请日：2023-12-01
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
IPC: C08G65/00 , H01M10/0565 , H01M10/052 , H01L21/66 , C10M107/38 , A62D1/00 , C09K5/10 , C09K3/12 , C09K21/14 , A61K8/86 , A61Q19/00 , C10N50/10 , C10N40/36
Abstract: 本发明公开了PFPE及其生产控制方法及系统，属于氟化工技术领域。以六氟丙烯和氧气为原料，在光催化氧化反应器中反应制得全氟聚醚酰氟后，再经过去过氧稳定化处理和不饱和端基封端后，经精制纯化和分子蒸馏系统分级后，即得PFPE产品，所述PFPE产品的指标体系满足：平均分子量：500～10000 a.m.u，酸值：＜0.03 mg/g。本发明采用光催化氧化反应、去过氧稳定化处理、不饱和端基封端、精制纯化和分子蒸馏分级后获得PFPE产品，其指标性能稳定，且工业化收率高。
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公开(公告)号：CN117757074A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311815872.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 成都晨光博达新材料股份有限公司 , 四川晨光博达新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高羟值的MQ树脂及其制备方法，属于有机硅树脂技术领域，通式为(Me3SiO1/2)a(OHSiO3/2)b(SiO4/2)c；其中：高羟值MQ硅树脂的平均分子量4000~10000 Da；高羟值MQ硅树脂的分子量分布1.5~2.5；高羟值MQ硅树脂的60%固含量二甲苯粘度为5~20 cst；高羟值MQ硅树脂的羟基含量为6~8%；高羟值MQ硅树脂的M/Q为0.7~0.9。本发明方法简单、操作容易，条件较为温和，不易凝胶，可实现产业化稳定生产；该生产过程实现了全程DCS连续化控制，生产效率高，成本低；在苯类、烷烃类、D5、硅油类溶剂中溶解性优异，溶液澄清透明、不浑浊。
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