公开(公告)号：CN116337901A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310194464.X

申请日：2023-03-03

申请人： 宏策(浙江)半导体有限公司

发明人： 朱京涛 ,  屠洛涔

IPC分类号： G01N23/20008

摘要： 本发明属于XRD检测技术领域，具体涉及一种XRD检测用待测样的制备方法、一种低原子序数二维薄膜材料的XRD检测方法。本发明提供了一种XRD检测用待测样的制备方法，包括以下步骤：在基底上生长高原子序数金属层，经退火处理，得到改性基底；所述基底包括含硅基底；在所述改性基底的高原子序数金属层上生长低原子序数二维材料层，得到所述待测样。本发明在基底和低原子序数二维材料层中设置高原子序数金属层，利用高原子序数金属层和低原子序数二维材料层形成高低Z值交错排布，从而增加反射率，在衍射曲线上形成衍射峰，实现了对低原子序数二维材料的XRD检测。

公开(公告)号：CN116230469A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310228803.1

申请日：2023-03-03

申请人： 宏策(浙江)半导体有限公司

发明人： 朱京涛 ,  屠洛涔

IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35

摘要： 本发明属于光电阴极技术领域，具体涉及一种光电阴极及其制备方法和应用。本发明提供了一种光电阴极，包括铝基体和依次层叠设置在所述铝基体表面的金层和过渡金属氮化物层。本发明通过在铝基体表面设置金层和过渡金属氮化物层，能够防止光电阴极在等离子诊断过程中发生碳污染和氧污染；同时金层和过渡金属氮化物层的电阻率非常小，和铝基体共同使用不会影响铝基体的转换效率；同时过渡金属氮化物层的结构稳定，熔点和硬度高，能够很好的抵御高速等离子的冲击，防止等离子体对柔性铝基体的破坏，从而在不影响量子转换效率的前提下提高光电阴极的使用寿命。