公开(公告)号：CN113950470B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080020625.8

申请日：2020-03-11

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： P·戈帕兰 ,  B·阿雅卡 ,  R·陈

IPC: C07C217/86 ,  C08F12/26 ,  C08F20/34 ,  C08F16/28 ,  C08F212/14 ,  C08F220/34 ,  C08F216/14

Abstract: 提供含甲酰胺基团的单体以及通过所述单体聚合制备的聚合物。还提供了使所述单体聚合的方法以及通过聚合前和/或聚合后官能化而合成官能化聚合物的方法。所述单体是无毒的，并且可以在一锅法合成中产生高反应性的异氰酸酯和异腈前体，从而能够将复杂官能团加入由所述单体合成的聚合物的侧链中。

公开(公告)号：CN119233885A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380031091.2

申请日：2023-04-03

Applicant: SABIC环球技术有限责任公司 ,  威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： P·加尔格 ,  T·D·朗斯特拉特 ,  马丁·安东尼奥斯·范内斯 ,  K-M·R·朱 ,  L-S·佟 ,  H·杨 ,  G·伊尔马兹

IPC: B29C48/30 ,  B29C48/00 ,  B29C48/92 ,  B29B9/06 ,  B29C48/05

Abstract: 本发明涉及包括渐缩的通道区段的用于超高分子量聚乙烯(UHMWPE)的熔融挤出的新型模头组件以及使用这样的模头组件将UHWMPE造粒的方法。使用根据本发明的模头组件，可以获得具有改进的机械性质如拉伸强度、改进的密度和降低的氧化指数的UHMWPE粒料。

公开(公告)号：CN117678099A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280049059.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会 ,  尤斯图斯-李比希-吉森大学 ,  斯坦福大学托管董事会

Inventor： M·格比艾 ,  刘北辰 ,  J·麦卡皮内 ,  R·卡神 ,  P·R·施雷内耳 ,  B·O·塔卡申科 ,  N·美罗施 ,  J·达哈尔 ,  R·卡尔森

IPC: H01M10/056 ,  C25B3/26 ,  C25B1/23 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568

Abstract: 提供了类金刚烃盐、包含类金刚烃盐的电解质以及包括所述类金刚烃盐或电解质的电化学装置。在实施方案中，用于电化学装置的电解质包含金属盐和类金刚烃盐，所述类金刚烃盐包含类金刚烃官能化的阳离子芯和反荷阴离子，所述类金刚烃官能化的阳离子芯包含阳离子芯和共价结合至阳离子芯的类金刚烃基团。

公开(公告)号：CN115244721A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018512.9

申请日：2021-03-03

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： C-B·严 ,  南天翔 ,  J·沙德

IPC: H01L43/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/82 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了压控自旋场效应晶体管(“自旋晶体管”)及其在切换应用中的使用方法。在自旋晶体管中，自旋电流经由磁振子传播通过多铁性反铁磁通道从自旋注入触点传输到自旋检测触点。自旋电流传输通过施加增加多铁性反铁磁材料的畴边界数量的栅极电压来调制。

公开(公告)号：CN110800057A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880043409.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： C-B·严 ,  南天翔 ,  T·J·安德森

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/12 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了包括磁性存储器设备的磁性开关设备。该设备使用具有强自旋轨道耦合(SOC)的4d或5d过渡金属钙钛矿的高质量晶体膜，以经由强自旋Hall效应在相邻铁磁材料中产生自旋轨道转矩。

公开(公告)号：CN106061894B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580007902.0

申请日：2015-02-11

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： M·S·阿诺德 ,  P·戈帕兰 ,  G·J·布雷迪 ,  Y·周 ,  H·T·埃文森

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  C01B32/166 ,  C01B32/159 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了具有高纳米管取向度的半导体单壁碳纳米管的高密度膜。还提供了制造该膜和纳入该膜作为导电通道材料的场效应晶体管(FET)。由包含溶解的单壁碳纳米管的有机溶剂的薄层来沉积该单壁碳纳米管，该包含溶解的单壁碳纳米管的有机溶剂的薄层在水性介质的表面上方展开，在接触固体基材时诱发蒸发自组装。

公开(公告)号：CN112400237B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201980044286.4

申请日：2019-05-29

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： 马振强

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/66 ,  H01L29/73 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供了包含p型掺杂的金刚石的P‑N二极管和包括p‑n二极管的器件如p‑n‑p异质结双极晶体管。在p‑n二极管中，在p‑n结处的金刚石具有正电子亲和力，并被无机材料薄层钝化，该无机材料薄层提供了使结合界面态钝化的隧穿层，而不会阻碍跨界面的载流子传输。

公开(公告)号：CN116830832A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280013669.7

申请日：2022-02-03

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： P·戈帕兰 ,  J·H·德怀尔 ,  K·吉恩金斯 ,  M·S·阿诺德

IPC: H10K71/12 ,  H10K85/20 ,  H10K10/46

Abstract: 提供用于形成对准的碳纳米管的膜的方法。还提供通过所述方法形成的膜和包含所述膜作为活性层的电子器件。这些膜是通过使碳纳米管的悬浮液在经化学和地形图案化的衬底表面上方流动而形成的。所述方法提供在大表面区域上方形成致密堆积和对准的碳纳米管的膜的快速且可扩大的方法。

公开(公告)号：CN110382413B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201880014965.2

申请日：2018-01-05

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： M·S·阿诺德 ,  K·R·吉恩金斯 ,  G·J·布雷迪 ,  P·戈帕兰

IPC: C01B32/16 ,  D02G3/16 ,  D02G3/38

Abstract: 提供了用于形成碳纳米管阵列的方法。还提供了由该方法形成的阵列和包括该阵列作为活性层的电子装置。在跨流动的悬浮液产生速度梯度的条件下，通过使碳纳米管的流体悬浮液流过受限沟道来形成所述阵列。

公开(公告)号：CN110383422B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880015706.1

申请日：2018-02-23

Applicant: 威斯康星州男校友研究基金会

Inventor： 马振强 ,  C-B·严 ,  J·李 ,  D·李 ,  S·J·赵 ,  刘东

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H10N70/00 ,  H03K17/04 ,  H03K17/51 ,  H03K17/687

Abstract: 提供了用于电磁辐射的开关，包括射频开关和光学开关。还提供了使用这些开关的方法。这些开关包含包括多个连接的具有相同晶体结构和取向的晶体VO2畴的高质量VO2层。