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公开(公告)号：CN113139421A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110015396.7
申请日：2021-01-07
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
IPC分类号： G06K9/00 , G16H50/30 , H01M8/04313 , G08B21/18
摘要： 一种电子装置包括沿堆叠方向彼此堆叠的第一、第二模块。第一模块具有像素衬底、以及与像素衬底相对设置的对向衬底；像素衬底定义多个显示像素。第二模块位于第一模块(邻接对向衬底且远离像素衬底)的一侧；第二模块具有多个微光电单元与保护层；各该微光电单元沿堆叠方向不遮蔽其中一个该显示像素；各该微光电单元包含微光电组件，其中一个微光电单元的该微光电组件为感测组件；保护层位于远离该第一模块的一侧。
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公开(公告)号：CN109935664A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811477304.1
申请日：2018-12-05
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075
摘要： 本发明公开一种光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置。该制造方法包括以下步骤：压合光电半导体衬底至紫外光胶带，其中多个光电半导体组件的电极黏着在紫外光胶带上；移除磊晶基材，并使至少一部分的这些光电半导体组件黏着在紫外光胶带上；降低紫外光胶带的至少一部分的黏性；以及通过导热衬底拾取至少一部分的黏性降低位置对应的多个光电半导体组件，使至少一部分黏性降低位置对应的多个光电半导体组件脱离紫外光胶带而得到光电半导体戳记。
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公开(公告)号：CN109683390A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811053980.6
申请日：2018-09-11
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明题目是显示装置。一种显示装置具有多数个子像素，并包括一电路衬底、多数个微发光半导体元件、一光转换层以及一对向衬底。微发光半导体元件间隔设置于电路衬底上，并对应于子像素设置。光转换层具有多数个光转换部，光转换部分别与至少部份的微发光二极管元件对应设置，各子像素对应的微发光半导体元件所发出的光线经过光转换部后产生白光。对向衬底设置于光转换层远离电路衬底的一侧。本发明更揭露另一种显示装置，其背光模块的微发光半导体元件所发出的光线经过光转换层后产生白光。
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公开(公告)号：CN118800169A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410426337.2
申请日：2024-04-10
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
摘要： 本发明公开一种电子装置，包括基板、多个功能单元、线路单元以及多个导电件。基板具有第一表面及与第一表面相反的第二表面。这些功能单元定义于基板的第一表面，每一个功能单元包括一个或多个半导体元件。线路单元设置于基板的第二表面，线路单元包括多个电路，这些电路与这些功能单元对应设置。这些导电件与这些电路对应设置，各导电件电性连接各功能单元的该或这些半导体元件与线路单元的对应的电路；其中，各功能单元的该或这些半导体元件与线路单元的相对应的电路至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN114793387A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210086746.3
申请日：2022-01-25
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
摘要： 本申请公开一种电子装置，包括基板、多个微半导体结构、多个导电件以及非导电部。基板具有相对的第一面与第二面。这些微半导体结构布设于基板的第一面。这些导电件电连接这些微导体结构至基板；各导电件由这些微半导体结构的其中电极、与基板的对应的导电垫片所构成。非导电部布设于基板的第一面；非导电部包括一个或多个非导电件，其中一个或多个非导电件附着对应的其中一些微半导体结构中的一些多个导电件。
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公开(公告)号：CN111369910B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010325589.8
申请日：2016-12-14
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 颜永裕
IPC分类号： G09F9/33
摘要： 本发明的题目是光电装置及其制造方法。本发明是揭露一种光电装置及其制造方法。光电装置的制造方法，包括以下步骤：设置一矩阵电路于一基材，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于基材之上，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度；设置复数第二凸部于所述基材之上，至少一所述第二凸部的最高点相对所述基材的表面具有一第二凸部厚度；以及将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以通过一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件。
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公开(公告)号：CN111383549B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010325442.9
申请日：2016-12-14
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 颜永裕
摘要： 本发明的题目是光电装置及其制造方法。光电装置的制造方法包括以下步骤：设置一矩阵电路于一基材，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于基材之上，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度；将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件；设置一平坦化层覆盖所述第一凸部及至少部份的所述第一光电元件；蚀刻所述平坦化层并形成至少一开口以露出位于所述矩阵电路的一驱动电极；以及电性连结各所述第一光电元件的一导电部以及所述驱动电极。
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公开(公告)号：CN107527930B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201710446677.1
申请日：2017-06-14
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明公开一种光电半导体装置。光电半导体装置包括磊晶基材以及多个微尺寸光电半导体元件。这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于磊晶基材的表面，各微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米。
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公开(公告)号：CN111383549A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010325442.9
申请日：2016-12-14
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 颜永裕
摘要： 本发明的题目是光电装置及其制造方法。光电装置的制造方法包括以下步骤：设置一矩阵电路于一基材，矩阵电路的最高点相对于基材的表面具有一矩阵电路厚度；设置复数第一凸部于基材之上，至少一个第一凸部的最高点相对基材的表面具有一第一凸部厚度，第一凸部厚度是大于矩阵电路厚度；将位于一第一承载基板上的复数个第一光电元件进行一第一光电元件转置步骤，以藉由一黏着材料分别接合所述第一凸部与至少其中二个所述第一光电元件；设置一平坦化层覆盖所述第一凸部及至少部份的所述第一光电元件；蚀刻所述平坦化层并形成至少一开口以露出位于所述矩阵电路的一驱动电极；以及电性连结各所述第一光电元件的一导电部以及所述驱动电极。
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公开(公告)号：CN110246749A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910113343.1
申请日：2019-02-14
申请人： 优显科技股份有限公司
发明人： 陈显德
摘要： 本申请公开一种光电半导体装置的制造方法，包括：提供矩阵基板，矩阵基板包括基材与矩阵电路，矩阵电路设置于基材上；由暂时性基材上将多个微尺寸光电半导体元件转置至矩阵基板上，这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于矩阵基板上，且各微尺寸光电半导体元件的至少一个电极分别与矩阵电路电性连接；形成保护层完全覆盖这些微尺寸光电半导体元件，保护层的高度大于这些微尺寸光电半导体元件的高度；以及研磨保护层，直到各微尺寸光电半导体元件的背表面上的残留物及背表面被去除而露出新表面为止。
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