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公开(公告)号：CN107063470A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611076449.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 优利斯公司
Inventor： 塞巴斯蒂安·科蒂亚尔 , 米歇尔·维兰
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/103 , G01J2005/106 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及具有高吸收效率和信噪比的悬置测辐射热膜的检测装置。该装置包括：包括读出电路的衬底；基本探测器阵列，每个探测器包括在衬底上方悬置并且通过至少两个电导体连接到读出电路的膜，膜包括分别连接到两个电导体的两个导电电极和电连接两个电极的换能器材料的体积，其中，读出电路被配置为将电刺激施加在膜的两个电极之间并且形成电信号作为对施加的响应。所述体积包括：第一换能器材料的体积，其电连接膜的两个电极并且形成使每个电极至少部分地容纳在其中的封闭外壳的壁；以及第二换能器材料的体积，其电连接两个电极并且容纳在外壳中，第二材料的电阻率小于第一材料的电阻率；且两个换能器材料具有负的电阻率热系数TCR。
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公开(公告)号：CN107736013B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201680037669.5
申请日：2016-06-10
Applicant: 优利斯公司
Inventor： 阿莫里·萨拉加吉亚
Abstract: 本发明涉及一种用于从对红外射线敏感的用于采集图像的装置的像素阵列中检测坏像素的方法。所述方法包括：接收由像素系统采集到的输入图像，并且针对包括来自所述输入图像的像素中的至少一些的多个目标像素计算分数。每个目标像素的分数是基于所述目标像素周围的H×H个像素的窗口中选出的所述输入图像的k个像素而生成的。H为大于等于3的奇整数，并且k为2与5之间的整数。来自由所述k个像素和所述目标像素形成的集合中的每个像素与来自所述集合的另一个像素共享至少一个边界或角点，并且所述k个像素的值在距所述目标像素的值相应距离处，所述k个像素基于k个距离而被选出。该方法还包括基于计算出的分数，检测出所述目标像素中的至少一个像素为坏像素。
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公开(公告)号：CN106989828B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710049600.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 优利斯公司 , 原子能与替代能源委员会
Abstract: 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法，探测器能探测中心在λ10的波长范围[λ8；λ14],含能探测该范围的探测设备和在预压下容纳其的气密封装,其由衬底、附接其的侧壁和附接侧壁的盖形成且含在该范围透明的与设备竖对齐的部分,包括:在衬底上形成该设备,包括沉积完全包埋其的牺牲层；其上形成盖,由在该范围中透明的第一、二和三光学结构堆叠形成,第二和三结构有在λ10≥3.4和≤2.3的等效折射率；形成含至少第一结构的盖的部分后,形成穿过盖的部分的至牺牲层的孔,穿过其施加蚀刻完全去除牺牲层,第一结构的光厚度≥λ10/10,在λ10的等效折射率在牺牲层上形成的第一结构的表面对去除牺牲层的蚀刻是惰性的。
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公开(公告)号：CN107810630B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680037758.X
申请日：2016-06-10
Applicant: 优利斯公司
Abstract: 本发明涉及一种用于校正对红外射线敏感的图像采集装置的像素阵列中的坏像素的方法。所述方法包括：接收第一输入图像(RAW)并且通过应用增益值和偏移值来校正所述第一输入图像，在校正的第一输入图像中检测出至少一个坏像素并且将所述至少一个坏像素添加至坏像素列表(LSPUR)，接收第二输入图像(RAW)并且通过应用所述增益值和偏移值来校正所述第二输入图像，并且基于校正的第一输入图像和校正的第二输入图像而针对所述至少一个坏像素计算增益校正值和偏移校正值(soff，sGain)。
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公开(公告)号：CN105049752B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510213875.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 优利斯公司
IPC: H04N5/357
Abstract: 本发明涉及一种图像处理方法，其涉及：由处理装置接收由对红外辐射敏感的像素阵列获取的输入图像(IB)；基于所述输入图像和列分量向量(VCOL)通过估计在所述输入图像中出现的所述列扩展的级别确定第一比例因子(α)；基于所述第一比例因子与所述向量的值的乘积生成列偏移值(α.VCOL(x))；基于所述输入图像和2D离差矩阵(IDISP)，通过估计在所述输入图像中出现的所述2D离差的级别，确定第二比例因子(β)；基于第二比例因子与所述矩阵的值的乘积生成像素偏移值(β.IDISP(x,y))；以及通过应用所述列和列偏移值生成修正图像(IC')。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107063470B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611076449.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 优利斯公司
Inventor： 塞巴斯蒂安·科蒂亚尔 , 米歇尔·维兰
Abstract: 本发明涉及具有高吸收效率和信噪比的悬置测辐射热膜的检测装置。该装置包括：包括读出电路的衬底；基本探测器阵列，每个探测器包括在衬底上方悬置并且通过至少两个电导体连接到读出电路的膜，膜包括分别连接到两个电导体的两个导电电极和电连接两个电极的换能器材料的体积，其中，读出电路被配置为将电刺激施加在膜的两个电极之间并且形成电信号作为对施加的响应。所述体积包括：第一换能器材料的体积，其电连接膜的两个电极并且形成使每个电极至少部分地容纳在其中的封闭外壳的壁；以及第二换能器材料的体积，其电连接两个电极并且容纳在外壳中，第二材料的电阻率小于第一材料的电阻率；且两个换能器材料具有负的电阻率热系数TCR。
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公开(公告)号：CN107810630A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037758.X
申请日：2016-06-10
Applicant: 优利斯公司
Abstract: 本发明涉及一种用于校正对红外射线敏感的图像采集装置的像素阵列中的坏像素的方法。所述方法包括：接收第一输入图像(RAW)并且通过应用增益值和偏移值来校正所述第一输入图像，在校正的第一输入图像中检测出至少一个坏像素并且将所述至少一个坏像素添加至坏像素列表(LSPUR)，接收第二输入图像(RAW)并且通过应用所述增益值和偏移值来校正所述第二输入图像，并且基于校正的第一输入图像和校正的第二输入图像而针对所述至少一个坏像素计算增益校正值和偏移校正值(soff，sGain)。
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公开(公告)号：CN106989828A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710049600.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 优利斯公司 , 原子能与替代能源委员会
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , G01J5/0803
Abstract: 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法，探测器能探测中心在λ10的波长范围[λ8；λ14],含能探测该范围的探测设备和在预压下容纳其的气密封装,其由衬底、附接其的侧壁和附接侧壁的盖形成且含在该范围透明的与设备竖对齐的部分,包括:在衬底上形成该设备,包括沉积完全包埋其的牺牲层；其上形成盖,由在该范围中透明的第一、二和三光学结构堆叠形成,第二和三结构有在λ10≥3.4和≤2.3的等效折射率；形成含至少第一结构的盖的部分后,形成穿过盖的部分的至牺牲层的孔,穿过其施加蚀刻完全去除牺牲层,第一结构的光厚度≥λ10/10,在λ10的等效折射率在牺牲层上形成的第一结构的表面对去除牺牲层的蚀刻是惰性的。
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公开(公告)号：CN105049752A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510213875.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 优利斯公司
IPC: H04N5/357
Abstract: 本发明涉及一种图像处理方法，其涉及：由处理装置接收由对红外辐射敏感的像素阵列获取的输入图像(IB)；基于所述输入图像和列分量向量(VCOL)通过估计在所述输入图像中出现的所述列扩展的级别确定第一比例因子(α)；基于所述第一比例因子与所述向量的值的乘积生成列偏移值(α.VCOL(x))；基于所述输入图像和2D离差矩阵(IDISP)，通过估计在所述输入图像中出现的所述2D离差的级别，确定第二比例因子(β)；基于第二比例因子与所述矩阵的值的乘积生成像素偏移值(β.IDISP(x,y))；以及通过应用所述列和列偏移值生成修正图像(IC')。
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公开(公告)号：CN110073186A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780075805.4
申请日：2017-12-05
Applicant: 优利斯公司
Inventor： 尼古拉斯·布杜 , 亚历克西亚·戈雷茨基
IPC: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/26 , G01J5/08 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种红外图像传感器，其包括在基板(10)上的多个第一像素(32)和多个第二像素(34)，用于捕获由场景中的元件发射的红外辐射，每个像素包括悬挂在覆盖基板的反射器(12)上方的测热辐射膜(14)，每个第一像素的反射器覆盖有第一介电层(40)，并且每个第二像素的反射器覆盖有凭借其光学特性不同于第一介电层的第二介电层(42)。
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