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公开(公告)号:CN110178254A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201780074922.9
申请日:2017-10-17
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
Abstract: 本公开更具体地涉及用于电池组的受保护阳极,和这类阳极的制造方法。本公开的一个方面是一种用于制备受保护阳极的方法,所述方法包括提供电化学电池,所述电化学电池包含含有至少一种过渡金属二硫属化物的阴极、含有金属的阳极、与所述阴极的所述过渡金属二硫属化物和所述阳极的所述金属接触的电解液以及溶解在所述电解液中的二氧化碳;和进行放电-充电循环,所述放电-充电循环包含使所述电化学电池放电,和在所述阳极与所述阴极之间施加电压,持续足以给所述电化学电池充电的时间;其中所述电化学电池基本上不含水;并且其中在所述放电-充电循环中形成并且溶解在所述电解液中的一种或多种化学物种沉积在所述阳极上。
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公开(公告)号:CN107427549A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680012874.6
申请日:2016-03-02
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
IPC: A61K38/08 , A61K38/10 , A61P9/00 , A61P35/00 , A61P35/04 , A61P27/02 , A61P27/14 , A61P27/06 , C07K7/08 , C07K7/06
CPC classification number: A61K38/10 , A61B3/102 , A61B3/1241 , A61F9/00821 , A61F2009/00851 , A61F2009/00863 , A61F2009/00865 , A61F2009/00872 , A61K38/08 , A61K45/06 , C07K7/06 , C07K7/08 , A61K2300/00
Abstract: 本发明涉及用于抑制血管生成的肽。本发明还涉及使用本发明的肽抑制血管生成的方法、以及治疗与VEGF诱导的血管通透性相关的病症的方法。
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公开(公告)号:CN106188232A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610552695.3
申请日:2012-06-13
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
IPC: C07K7/06 , C07K7/08 , A61K38/10 , A61K38/08 , A61P11/00 , A61P7/10 , A61P11/06 , A61P9/14 , A61P37/08 , A61P11/02 , A61P35/00
Abstract: 本发明提供了末端结合蛋白3(EB3)和3型1,4,5-三磷酸肌醇受体(IP3R3)之间相互作用的肽抑制剂。还提供了用于治疗包括急性肺损伤(其可包括肺血管通透性过高)在内的肺损伤、血管渗漏、水肿发展、哮喘、过敏反应、血管性水肿、全身性血管通透综合征以及鼻塞的方法和材料。
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公开(公告)号:CN101405088A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200680042011.X
申请日:2006-11-09
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
IPC: B05D5/12
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/0384 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 一种将光转换成电力的光伏装置,包括硅纳米颗粒膜(16,26,36)。该硅纳米颗粒膜可以是多层膜,具有光致发光响应并将光和电耦合到半导体层内。本发明的光伏装置的具体示例包括太阳能电池,该太阳能电池接收并将预定波长范围的光转换成电力。包含发光硅纳米颗粒的膜光学耦合到该太阳能电池。该膜具有预定厚度。该膜响应于入射辐射并在预定波长范围内产生光学耦合到太阳能电池内的光或电响应。在优选实施例中,该膜另外或者备选地电学耦合到该太阳能电池,该膜产生电学耦合到该太阳能电池内的电荷响应。
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公开(公告)号:CN100475146C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN03808226.8
申请日:2003-02-28
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
IPC: A61B6/03
CPC classification number: G06T11/006 , A61B6/027 , Y10S378/901
Abstract: 提供了一种用于发散波束反向投影的快速方法,用于从预处理的发散波束窦腔造影(22)生成电子图像,该窦腔造影是发散波束投影的集合。该方法能够包括以下步骤:将窦腔造影(22)细分(1010、1012、1014、1016)为多个子窦腔造影(g1、g2、g3、g4)(1010、1012、1014、1016);执行所述子窦腔造影(1018、1020、1022、1024)的加权的反向投影,以生成多个相应的子图像(f1、f2、f3、f4);以及会聚(1026)所述子图像(f1、f2、f3、f4);以创建电子图像(f,26)。从窦腔造影到子窦腔造影的细分能够以递归方式执行。所提供方法的双重目的是提供一种用于再投影电子图像的装置,例如,从该图像生成发散波束窦腔造影。
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公开(公告)号:CN101180702A
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200580040899.9
申请日:2005-10-28
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
Abstract: 一种微等离子体放电装置(90)和阵列的制造方法。所述方法应用了从半导体装置的制造中汲取的技术,例如化学处理和光刻,从而生产出廉价的装置的阵列。在第一基底(14)上沉积交叉电极(16,18)。通过激光微机加工、蚀刻、或通过化学(湿法或干法)蚀刻在第二基底(34)内形成空腔并且所述第二基底(34)覆盖于所述电极阵列上。设置内部电极间距和电极宽度,使得在各空腔在下面具有至少一对电极从而激励在所述空腔内的等离子放电。因而避免了精确对准两个基底的要求。
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公开(公告)号:CN110503125B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201910410072.6
申请日:2019-05-16
Applicant: 国际商业机器公司 , 伊利诺伊大学受托管理委员会
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06F3/01 , G06V40/20 , G06V20/40
Abstract: 提供了一种关于基于神经网络模型的感受野中的运动的动作检测的技术。例如,本文描述的一个或多个实施例可以包括系统,该系统可以包括可以存储计算机可执行组件的存储器。该系统还可以包括处理器,该处理器可操作地耦合到存储器,并且可以执行存储在存储器中的计算机可执行组件。计算机可执行组件可以包括运动组件,该运动组件可以从神经网络模型的可变形卷积层中的多个自适应感受野中提取运动向量。计算机可执行组件还可以包括动作检测组件,该动作检测组件可以通过将运动向量与从可变形卷积层提取的空间特征级联来生成时空特征。
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公开(公告)号:CN104564621A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410850753.1
申请日:2009-09-30
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
CPC classification number: F04B43/043 , A61M5/1422 , A61M5/14224 , A61M2205/0244 , F04B43/02 , F04B43/028 , F04B45/047 , F04B49/08 , F04B53/10 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0046
Abstract: 用于处理小流体体积的磁驱动微型泵。该微型泵包括第一腔室和第二腔室。柔性隔膜被布置在第一和第二腔室之间。柔性隔膜被磁性耦合至促动器用于移动该隔膜。
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公开(公告)号:CN101310353A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200680006484.4
申请日:2006-01-24
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
Inventor: J·加里·伊登 , 陈国峰 , 内尔斯·P·奥斯特罗姆 , 朴晟镇
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J61/09 , H01J1/025 , H01J9/02 , H01J17/066 , H01J37/32018 , H01J37/32596 , H01J65/046
Abstract: 一种制造微空腔放电装置和装置阵列的方法。所述装置通过在第一导电层或基底(210、1010)上层叠电介质(1020、220)而制造。第二导电层或结构覆盖在所述介电层上。在一些装置中,产生贯穿所述第二导电层或结构和所述介电层的微空腔(1040、212)。在其它装置中,所述微空腔贯穿至所述第一导电层。所述第二导电层或结构与所述微空腔的内表面一起用第二介电层覆盖。随后用放电气体填充所述微空腔。当合适大小的时变电位施加到所述导体之间时,在所述微空腔内产生微等离子体放电。由于所述导体被封装,保护导体免于由于暴露于等离子体而产生的退化,所以这些装置可以展示出延长的寿命。一些这些装置是柔性的并且可以选择所述电介质从而起镜子的作用。
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公开(公告)号:CN101019200A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200580030825.7
申请日:2005-07-12
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
CPC classification number: H01J1/025 , B82Y10/00 , H01J3/025 , H01J17/066 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2217/49
Abstract: 本发明提供一种场发射纳米结构(18),其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14,16,36,38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比,该场发射纳米结构降低了工作和启动电压,同时也增加了微放电器件的辐射输出。
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