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公开(公告)号：CN102149428B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200980135241.4
申请日：2009-07-14
发明人： W·J·P·泰勒
IPC分类号： A61N7/00
CPC分类号： A61N7/00 , A61B5/0476 , A61B5/4836 , A61N5/0613 , A61N5/062 , A61N5/0622 , A61N2005/0651 , A61N2005/0652 , A61N2005/0653 , A61N2005/067 , A61N2007/0021 , A61N2007/0026 , A61N2007/0073 , A61N2007/0078 , C12N5/0619 , C12N13/00
摘要： 本发明包括用于调节活细胞(例如在人、动物、植物、昆虫、微生物和其他有机体中发现或衍生的细胞)的一种或多种活动的方法和装置。本发明的方法包括施用超声(例如低强度低频超声)至活细胞以影响细胞和调节细胞活性的应用。本发明的装置包括产生超声波的一种或多种组件，例如超声发射器、换能器、或压电换能器、复合换能器、CMUT、和可设置为单或多换能器或设置在阵列构造中的组件。超声波可以是任何形状的，并且可以是聚焦的或未聚焦的。
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公开(公告)号：CN105126262A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510378861.8
申请日：2009-07-14
发明人： W·J·P·泰勒
IPC分类号： A61N7/00
CPC分类号： A61N7/00 , A61B5/0476 , A61B5/4836 , A61N5/0613 , A61N5/062 , A61N5/0622 , A61N2005/0651 , A61N2005/0652 , A61N2005/0653 , A61N2005/067 , A61N2007/0021 , A61N2007/0026 , A61N2007/0073 , A61N2007/0078 , C12N5/0619 , C12N13/00
摘要： 本发明包括用于调节活细胞(例如在人、动物、植物、昆虫、微生物和其他有机体中发现或衍生的细胞)的一种或多种活动的方法和装置。本发明的方法包括施用超声(例如低强度低频超声)至活细胞以影响细胞和调节细胞活性的应用。本发明的装置包括产生超生波的一种或多种组件，例如超声发射器、换能器、或压电换能器、复合换能器、CMUT、和可设置为单或多换能器或设置在阵列构造中的组件。超声波可以是任何形状的，并用可以是聚焦的或未聚焦的。
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公开(公告)号：CN105854193B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201610083860.5
申请日：2010-11-04
发明人： W·J·P·泰勒
摘要： 这里提供了用于大脑调节的设备和方法。该设备包含主体和用于激活大脑的部件。这样的部件包括超声换能器。该设备用于将超声波提供给戴着该设备的对象中的大脑结构，以便执行治疗创伤性大脑损伤、影响姿势控制、影响警觉性、注意力、和警惕性、提供记忆控制、改变大脑血管血流动力学、使压力最小、以及强化行为动作的方法。
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公开(公告)号：CN103238203B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180056302.5
申请日：2011-11-23
申请人： SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/0665 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02667
摘要： 在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。
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公开(公告)号：CN102791332A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080056295.4
申请日：2010-11-04
发明人： W·J·P·泰勒
IPC分类号： A61N7/00
CPC分类号： A61N7/00 , A61B5/04008 , A61B5/0476 , A61B8/0816 , A61N2007/0026 , A61N2007/0078 , A61N2007/0091
摘要： 这里提供了用于大脑调节的设备和方法。该设备包含主体和用于激活大脑的部件。这样的部件包括超声换能器。该设备用于将超声波提供给戴着该设备的对象中的大脑结构，以便执行治疗创伤性大脑损伤、影响姿势控制、影响警觉性、注意力、和警惕性、提供记忆控制、改变大脑血管血流动力学、使压力最小、以及强化行为动作的方法。
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公开(公告)号：CN101589176B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200780047154.4
申请日：2007-11-29
摘要： 提供了生成氨的各种装置和方法。一个实施方案使用多个环境和经配置以暴露于所述多个环境的电极。所述电极经配置以在暴露于所述环境中的一个时接收氢，在暴露于另一环境时还原氮，并容许氢和氮彼此反应形成氨。其它实施方案提供了在同一电极上同时进行的氢氧化和氮还原，它们进而反应形成氨。
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公开(公告)号：CN102149428A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135241.4
申请日：2009-07-14
发明人： W·J·P·泰勒
IPC分类号： A61N7/00
CPC分类号： A61N7/00 , A61B5/0476 , A61B5/4836 , A61N5/0613 , A61N5/062 , A61N5/0622 , A61N2005/0651 , A61N2005/0652 , A61N2005/0653 , A61N2005/067 , A61N2007/0021 , A61N2007/0026 , A61N2007/0073 , A61N2007/0078 , C12N5/0619 , C12N13/00
摘要： 本发明包括用于调节活细胞(例如在人、动物、植物、昆虫、微生物和其他有机体中发现或衍生的细胞)的一种或多种活动的方法和装置。本发明的方法包括施用超声(例如低强度低频超声)至活细胞以影响细胞和调节细胞活性的应用。本发明的装置包括产生超声波的一种或多种组件，例如超声发射器、换能器、或压电换能器、复合换能器、CMUT、和可设置为单或多换能器或设置在阵列构造中的组件。超声波可以是任何形状的，并且可以是聚焦的或未聚焦的。
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公开(公告)号：CN101589176A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780047154.4
申请日：2007-11-29
摘要： 提供了生成氨的各种装置和方法。一个实施方案使用多个环境和经配置以暴露于所述多个环境的电极。所述电极经配置以在暴露于所述环境中的一个时接收氢，在暴露于另一环境时还原氮，并容许氢和氮彼此反应形成氨。其它实施方案提供了在同一电极上同时进行的氢氧化和氮还原，它们进而反应形成氨。
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公开(公告)号：CN105126262B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201510378861.8
申请日：2009-07-14
发明人： W·J·P·泰勒
IPC分类号： A61N7/00
摘要： 本发明包括用于调节活细胞(例如在人、动物、植物、昆虫、微生物和其他有机体中发现或衍生的细胞)的一种或多种活动的方法和装置。本发明的方法包括施用超声(例如低强度低频超声)至活细胞以影响细胞和调节细胞活性的应用。本发明的装置包括产生超生波的一种或多种组件，例如超声发射器、换能器、或压电换能器、复合换能器、CMUT、和可设置为单或多换能器或设置在阵列构造中的组件。超声波可以是任何形状的，并用可以是聚焦的或未聚焦的。
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公开(公告)号：CN103237929B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201180056001.2
申请日：2011-11-23
申请人： SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
CPC分类号： H01L21/02104 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L29/2003
摘要： 本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
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