- 专利标题： 用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构
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申请号： CN201180056001.2申请日： 2011-11-23
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公开(公告)号： CN103237929B公开(公告)日： 2017-07-11
- 发明人: C·阿里纳 , R·T·小伯特伦 , E·林多 , S·马哈詹 , F·孟
- 申请人： SOITEC公司 , 代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
- 申请人地址： 法国贝尔尼;
- 专利权人： SOITEC公司,代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
- 当前专利权人： SOITEC公司,代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会
- 当前专利权人地址： 法国贝尔尼;
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 周玉梅
- 优先权： 1060242 20101208 FR 61/416,574 20101123 US
- 国际申请： PCT/EP2011/070794 2011.11.23
- 国际公布： WO2012/069530 EN 2012.05.31
- 进入国家日期： 2013-05-21
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C30B29/40
摘要：
本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。
公开/授权文献
- CN103237929A 用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构 公开/授权日：2013-08-07
IPC分类:
