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公开(公告)号：CN118800840A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411006790.4
申请日：2024-07-25
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
摘要： 本发明公开的属于电池片加工技术领域，具体为一种快衰机台改造来改善组件明暗的装置包括底座，底座的顶部设置有左右对称的储料盒，储料盒上堆叠放置有电池片；龙门架设置在底座的顶部位于储料盒的前方，龙门架的前侧设置有用于抓取且横向输送电池片的上料组件；纵向板设置在底座的顶部位于两个储料盒之间，纵向板上设置有用于纵向输送电池片的输送组件。该发明，由于太阳能电池由于本身材料、分选的参数选择及测试机误差等原因，会使得实际同一档位的电池性能有所差异，反应到组件端EL图片则表现为整体明暗，本设计可以大幅度的降低高效太阳能电池组件明暗片的比例，降低返工成本，提升组件良率。
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公开(公告)号：CN117862061A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410124640.7
申请日：2024-01-29
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电池测试分选装置及其使用方法，包括，总输送带、轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带；间歇传动机构，设置于总输送带上，且动力输出端分别与轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带相连，以完成总输送带、轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带同步间歇转动动作；检测器，分别设置于总输送带、轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带检测端，以完成检测总输送带、轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带上电池片动作；分选机构，设置于轻微缺陷输送带和严重缺陷输送带上，整个装置能够实现高效率、高精度的电池片分选，适用于大规模的电池生产线，提高生产效率和产品质量，同时降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117810297A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311778588.9
申请日：2023-12-21
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/30
摘要： 本发明公开一种Topcon背膜氨气预处理方法，采用新的背膜氨气预处理工艺，能够产生更好的钝化效果，再经过烧结时，激活氮化硅膜层中的H原子，能够达到有效地提升Voc与FF的目的。
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公开(公告)号：CN117747677A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311751072.5
申请日：2023-12-19
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C26/00
摘要： 本发明公开一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构及其生成方法，包括底层氮化硅层、中间氮化硅层以及顶层氮化硅层，底层氮化硅层位于氧化铝层远离太阳能电池基底的一侧，中间氮化硅层位于所述底层氮化硅层远离氧化铝层的一侧，顶层氮化硅层位于所述中间氮化硅层远离所述底层氮化硅层的一侧，该种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构以及生成方法，替代传统的太阳能电池背膜氮化硅镀层的方式，避免了氮化硅镀层之间缺乏多样性，钝化效果一般，影响太阳能电池转化效率的问题。
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公开(公告)号：CN118712284A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410851186.5
申请日：2024-06-28
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L21/3213 , H01L21/67 , B41M1/12 , B41M1/26 , B41M7/00 , B08B1/12 , B08B3/08
摘要： 本发明公开的属于太阳能电池加工技术领域，具体为一种新的TOPCon背面poly减薄装置以及方法，包括检验设备、清洗设备以及安装在清洗设备上的吊装设备；检验设备包括有上下前后侧壁敞开的空芯框状的放置框架，放置框架的后方设置有设备架，设备架上位于放置框架的正上方设置有照明灯；清洗设备包括有清洗桶，清洗桶的底部设置有底架，底架的内部固定安装有安装板，安装板的顶部间距环绕转动设置有三根竖向的转杆。该发明，通过在现有的工艺流程中，增加了印刷、清洗和流程，通过精确控制氢氧化钠的浓度和印刷网版的开孔设计，实现对非晶硅层厚度的精确调控，不仅提高了电池的制造精度和一致性，还有助于降低生产成本和提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118213303A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410261206.3
申请日：2024-03-07
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种石墨舟冷却用暂存装置，包括：暂存壳体，暂存壳体内用于存放石墨舟；隔板，所述隔板整列设置在暂存架内，隔板之间形成隔间；安置组件，所述安置组件设置于隔板上，所述安置组件用于存放石墨舟；冷却组件，所述冷却组件设置于隔板一侧，所述冷却组件用于降低石墨舟表面温度；抬升组件，所述抬升组件用于配合冷却组件对石墨舟底部舟脚冷却，初始状态下，通风板居于石墨舟的中部，通过冷却风扇带动气流从通风板顶部吹出，从而使得石墨舟中部先降温，再通过移动组件带动通风板向两侧移动，从而使得石墨舟由内到外的降温，往复运行，采用此方式，可使得石墨舟中部温度较高的地方先降温。
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公开(公告)号：CN118156365A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410061481.0
申请日：2024-01-16
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01J37/32 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种防止带片烘舟以及前后舟反放的烘舟方法，本发明使用笑气作为特气，通过加入射频以及通入特气后空舟与满舟电流表现不同以及反放石墨舟的电流异常来检测石墨舟内是否有片，能有效防止烘舟工艺做正常片流至后道，或者前后舟反放导致的功率异常返工。同时，相对于SiH4与NH3等特气来说，笑气更具经济性，可以节省成本。
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公开(公告)号：CN117790594A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824783.0
申请日：2023-12-26
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C22/73
摘要： 本发明公开了一种新型perc背面膜层结构及镀膜方法，包括：P型硅基，所述P型硅基正面设置有N型发射极；所述P型硅基位于N型发射极外还覆盖有氧化硅层，所述氧化硅层外还覆盖有减反膜；正面电极，所述正面电极设置于P型硅基正面；钝化膜，所述钝化膜设置于P型硅基背面，用于对P型硅基起到钝化的作用；增反膜，所述增反膜覆盖在钝化膜外侧，增反膜用于反射长波光，通过发挥氮氧化硅折射率范围大的优势，根据不同的氮硅比例实现钝化、增加内反射的效果，膜层结构虽然复杂，但是本质都是氮氧化硅，只需工艺端调整硅烷、氨气、笑气流量就可以达到不同的组合效果，无需增加ALD工序、人力和特气成本，完美取代传统的氧化铝加氮化硅背钝化结构。
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公开(公告)号：CN117758238A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311794441.9
申请日：2023-12-25
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种改善管式ALD上料插片结构及方法，包括侧部防护机构以及底部防护机构，侧部防护机构安装在电池花篮的放置槽内壁两侧的安装槽内且用于当硅片与放置槽的内壁两侧接触时对其两侧与硅片之间的碰撞进行缓冲防护；底部防护机构安装在电池花篮的放置槽的内壁底部且用于当硅片与放置槽的内壁底部接触时对其底部与硅片之间的碰撞进行缓冲防护，该种改善管式ALD上料插片结构及方法，替代传统的管式ALD上料插片时的方式，避免了在上料的过程中硅片与卡槽内的卡齿发生激烈碰撞，进而使得硅片接触处破碎隐裂，从而增加了企业生产成本的问题。
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公开(公告)号：CN118472102A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410487949.2
申请日：2024-04-23
申请人： 滁州亿晶光电科技有限公司
摘要： 本发明公开一种新的填补网版孔洞的设备，包括底座、补胶组件、纵向移动组件和横向移动组件，本发明通过将漏浆网版放置在透明玻璃上，打开灯管，利用纵向移动组件和横向移动组件，调节注胶针管大概移至漏浆点区域，根据放大镜找出漏浆点，将注胶针针头对准漏浆点，利用注胶针管挤出适量补网胶至漏浆点即可，可以精确找出漏浆点，将其在操作者面前放大，并精确填补漏浆点。
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