公开(公告)号：CN116218389A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310234425.8

申请日：2019-06-06

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 彼谷美千子 ,  山中大辅

IPC分类号： C09J7/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C09J7/38

摘要： 本发明公开一种切晶粘晶一体型带的制造方法以及半导体装置的制造方法。压敏胶片的制造方法具备：准备压敏胶片前驱物的工序，该压敏胶片前驱物具有基材及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及对压敏胶片前驱物中的压敏胶黏剂层的与基材相反的一侧的面实施等离子体处理的工序。

公开(公告)号：CN111406085B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201780097276.8

申请日：2017-11-30

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 前田英雄 ,  竹内一雅 ,  石原千生 ,  伊藤辉雄 ,  稻垣孝

IPC分类号： C08G59/68

摘要： 本发明提供一种流动性、保存稳定性及成型性优异的复合粉。所述复合粉包含含金属元素粉、环氧树脂和固化剂，其中，复合粉溶解到酮系溶剂后残留的固体成分残渣的含量为98.5质量％以上且99.5质量％以下。

公开(公告)号：CN115803409A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202080101334.1

申请日：2020-11-17

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 田中彻 ,  川守崇司 ,  松永昌大 ,  藤安阳介

IPC分类号： C09J11/04 ,  C09J4/00

摘要： 本发明公开了一种黏合剂套组。该黏合剂套组具备：主剂，含有解络剂；及引发剂，含有有机硼烷络合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有具有自由基聚合性基团的化合物。主剂及引发剂中的至少一者进一步含有具有硫代羰基硫结构的化合物。

公开(公告)号：CN115769694A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180045780.X

申请日：2021-07-01

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 谷口纮平 ,  尾崎义信 ,  板垣圭 ,  山本和弘 ,  中村奏美 ,  桥本裕贵

IPC分类号： H10B80/00 ,  H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H01L23/29

摘要： 本发明所涉及的半导体装置具备：基板；黏合部件，配置于基板的表面上；第一芯片，介由第一黏合剂片层叠于黏合部件；及第二芯片，介由第二黏合剂片层叠于第一芯片。上述黏合部件具有多层结构，该多层结构包括由热固性树脂组合物的固化物形成的一对表面层和配置于一对表面层之间的中间层。

公开(公告)号：CN113227303B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201980085272.7

申请日：2019-12-19

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 山中大辅 ,  彼谷美千子

IPC分类号： C09J201/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/301 ,  C09J7/38

摘要： 本发明公开一种用于切割晶粒接合一体型膜中的光固化性压敏胶黏剂的评价方法。该评价方法包括：准备由光固化性压敏胶黏剂形成的光固化性压敏胶黏剂片，实施拉伸试验，并制作试验力相对于位移的图表，根据滞后回线求出被滞后回线包围的面积作为损失功的工序；准备具备由光固化性压敏胶黏剂形成的光固化性压敏胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜，对光固化性压敏胶黏剂层照射紫外线而形成光固化性压敏胶黏剂层的固化物，并且测定使黏合剂层与光固化性压敏胶黏剂层的固化物剥离时的剥离力的工序；及根据损失功及剥离力来判断光固化性压敏胶黏剂的良否的工序。

公开(公告)号：CN115698259A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202280004387.0

申请日：2022-03-29

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 佐藤优至 ,  冈野定雅弘 ,  陈尚武 ,  高桥亮介

IPC分类号： C12N5/02 ,  C12N5/071 ,  C12N5/0775

摘要： 本申请涉及一种培养物的制造方法，其包括：使黏附细胞与比黏附细胞的大小更大的可溶性培养载体接触，将黏附细胞配置于可溶性培养载体的表面；将配置于可溶性培养载体的表面的黏附细胞在培养基中进行悬浮培养；为了使悬浮培养中的黏附细胞从可溶性培养载体的表面脱离，对可溶性培养载体进行将表面的至少一部分改性的改性处理；以及，在改性处理之后，基于大小差异，从比黏附细胞的大小更大的改性处理后可溶性培养载体上分离并回收黏附细胞。

公开(公告)号：CN115668457A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038970.9

申请日：2021-05-21

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 小川纱瑛子 ,  祖父江省吾

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L23/00 ,  C08K5/54 ,  C08L33/04 ,  C08K3/01

摘要： 一种具有电磁屏蔽件的电子部件的制造方法，其具备：贴附工序，在表面具有凹凸的被加工体上贴附临时保护材料；光固化工序，通过光照射使临时保护材料固化；切割工序，将被加工体及临时保护材料单片化；屏蔽工序，在经单片化的被加工体的、未贴附有临时保护材料的部分形成金属膜；及剥离工序，将形成有金属膜的被加工体和临时保护材料剥离，临时保护材料由临时保护用树脂组合物形成，就该临时保护用树脂组合物而言，35℃下的剪切粘度为5000Pa·S以上，且曝光量为500mJ/cm2以上的光照射后的25℃下的弹性模量为100MPa以下以及拉伸试验中的伸长率为35％以上。

公开(公告)号：CN115667451A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202280004543.3

申请日：2022-03-25

申请人： 昭和电工材料株式会社

发明人： 久野和树 ,  小宫聪一郎 ,  齐藤晃一 ,  曲淑杰 ,  大和亮介 ,  末梨佳

IPC分类号： C09J175/04 ,  C09J11/00 ,  C09J11/06

摘要： 本发明公开出反应性热熔黏合剂。该反应性热熔黏合剂含有：氨基甲酸酯预聚物，具有来自于多元醇的结构单元及来自于聚异氰酸酯的结构单元；酚系抗氧化剂；及紫外线吸收剂。来自于聚异氰酸酯的结构单元包含来自于二苯基甲烷二异氰酸酯的结构单元。

公开(公告)号：CN115595530A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211337786.7

申请日：2018-11-09

申请人： 昭和电工材料株式会社(JP)

发明人： 大守洋

IPC分类号： C23C8/22 ,  C21D1/18 ,  C21D6/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/58

摘要： 本发明涉及铁基烧结合金材料的表面硬化材料及包含其的链轮齿、齿轮和轴。所述铁基烧结合金材料的表面硬化材料，其为对具有含碳的铁合金组成的烧结合金基材实施渗氮淬火而得到的烧结合金基材的表面硬化材料，所述铁基烧结合金材料含有碳，并且含有0.1～1.0质量％的碳、以及从由0.15～4.5质量％的铬、0.2～4.5质量％的铜、0.1～2.0质量％的钼、0.1～3.0质量％的锰和0.2～4.5质量％的镍组成的组中选择的一种以上的合金化成分，并且在表面具有呈现为氮过饱和固溶的马氏体相的硬化层，所述硬化层的从表面起算的深度大于或等于100μm，距表面0.1mm处的维氏硬度大于或等于800Hv。

公开(公告)号：CN113195668B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201980083555.8

申请日：2019-12-16

申请人： 昭和电工材料株式会社(JP)

发明人： 祖父江省吾 ,  大山恭之 ,  山口雄志

IPC分类号： C09J133/04 ,  C09J161/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/02

摘要： 本发明所涉及的临时固定用树脂组合物在半导体晶圆的加工方法中用于形成临时固定材料，所述半导体晶圆的加工方法包括：临时固定工序，经由临时固定材料将半导体晶圆临时固定于支撑体；加工工序，对临时固定于支撑体的半导体晶圆进行加工；以及分离工序，将加工后的半导体晶圆从临时固定材料分离，所述临时固定用树脂组合物包括(A)热塑性树脂、(B)热固性树脂、以及(C)硅酮化合物，所述临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为4000Pa·s以下，且在25℃的环境下放置7天之后的剪切粘度的变化率为30％以内。