公开(公告)号：CN116072744A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310058297.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  乔鹏飞 ,  刘康 ,  代兵 ,  刘本建 ,  张森

IPC: H01L31/0224 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C30B33/00 ,  C30B29/04 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。

公开(公告)号：CN115768252A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211489475.2

申请日：2022-11-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孟佳琳 ,  王天宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10N79/00 ,  H10N70/20 ,  H01L21/50 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法。该异质集成的人工视网膜忆阻器件由两片包含人工视网膜忆阻器的硅片背部相互贴合，实现硅‑硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件，上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元，并且上层器件和下层器件均为环形结构，可独立完成光信号采集、处理与存储任务。相比于传统的光学信号感知、处理与存储单元，本发明的器件无需考虑传感单元、存储单元与计算单元间复杂的信号转换与集成困难，极大程度提高了后摩尔时代芯片的工作效率与集成密度。

公开(公告)号：CN115714150A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211060096.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  李荣良 ,  徐蕾 ,  李守亮 ,  陈贞翔 ,  张春伟 ,  高嵩 ,  岳文静 ,  阚皞

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于人工视觉感知神经系统技术领域，具体涉及一种光电器件及其制备方法、一种人工视觉系统。本发明提供的光电器件，包括透明背衬；以及依次层叠设置于所述透明背衬表面的底电极层、感光层、阻变层和顶电极层；所述感光层的化学组成包括MoS2、石墨烯和氮化硼中的一种或多种；所述阻变层的化学组成包括Ga2O3和/或Ta2O5；所述底电极层的化学组成包括ITO或FTO；所述顶电极层的化学组成包括金、铂、铝、铜、银、钛和ITO中的一种或多种。本发明提供的光电器件具有精准且稳定的颜色识别功能，应用于人工视觉系统能够最终在终端上为用户显示对外界光环境的精准识别结果，精确的颜色可视化检测和区分。

公开(公告)号：CN115708226A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110950688.X

申请日：2021-08-18

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 毛剑宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明提供了一种多色制冷红外探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，在第一碲锌镉(CZT)衬底和第二碲锌镉衬底上分别生长第一外延层碲镉汞(MCT)和第二外延层，并在第二碲锌镉衬底的第二外延层上形成第一PN结，然后将第一碲锌镉衬底的第一外延层与第二碲锌镉衬底的第二外延层上形成的第一PN结进行键合，再对第一外延层的上表面形成第二PN结，从而可实现不同碲锌镉衬底上的PN结的互连，并且通过键合工艺对碲锌镉材料的衬底上的PN结进行键合，可制备得到制冷红外探测器，从而为制冷红外探测器的制备提供了借鉴价值。

公开(公告)号：CN115663055A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211374999.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 杭州富加镓业科技有限公司

Inventor： 齐红基 ,  陈端阳 ,  包森川 ,  张龙

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，探测器包括：导电衬底；氧化镓薄膜，设置在导电衬底一表面上，氧化镓薄膜远离导电衬底的一侧设置有凹槽；氧化镓纳米线阵列，设置在凹槽中；二维材料层，覆盖在氧化镓纳米线阵列及氧化镓薄膜上，并与氧化镓纳米线阵列形成异质结结构；阴极，设置在导电衬底远离所述氧化镓薄膜的一侧；阳极，设置在二维材料层远离氧化镓纳米线阵列的一侧。本发明通过异质结形成的内建电场与氧化镓纳米线阵列压电效应产生的压电势构建的内建电场相叠加，加快载流子分离和迁移，降低载流子的复合率，大幅提高探测器在日盲紫外光照下的电流，提高探测器的响应度和响应速度，提高探测器的光电探测性能。

公开(公告)号：CN115632077A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211328965.4

申请日：2022-10-27

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  潘雨婷 ,  鹿利单 ,  张东亮 ,  柳渊 ,  郑显通

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于碲化物的双色红外探测器所述双色红外探测器包括：p型Si衬底，在所述p型Si衬底上堆叠的n型MoTe2层，以及在所述n型MoTe2层上堆叠的p型二维Te层；所述p型Si衬底、所述n型MoTe2层和所述p型二维Te层，形成背靠背堆叠的p‑n‑p结。本发明通过两个方向的内置电场，将两个波段的光生载流子分离检测，实现双色信号有效分离，减少光和电串扰，达到超低串扰的目的。

公开(公告)号：CN115513310A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211361980.9

申请日：2022-11-02

Applicant: 太原国科半导体光电研究院有限公司

Inventor： 薛建凯 ,  张培峰 ,  雷宇 ,  宫联国 ,  许多 ,  苏莹 ,  李斌 ,  文晋 ,  冯伟 ,  朱坤 ,  赵毅 ,  徐文艾

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本申请提供一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器，属于红外探测技术领域。Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构，其包括红外探测器外延片、金属接触层和金属连接柱。金属接触层包括依次层叠布置的粘附层、反射层、连接层、第一保护层和第二保护层，粘附层连接于红外探测器外延片。金属连接柱连接于第二保护层。本申请的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构在金属接触层中增加反射层，即将接触电极和反射电极融合，在形成良好欧姆接触的同时，能够通过光反射实现部分损失光的二次吸收，从而提升制作的红外探测器的量子效率，进而优化红外探测器的成像效果。

公开(公告)号：CN115479673A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211303001.4

申请日：2022-10-24

Applicant: 武汉高芯科技有限公司

Inventor： 黄晟 ,  黄立 ,  江程鹏 ,  沈星 ,  洪晓麦 ,  刘道进 ,  张杨文 ,  刘帆

IPC: G01J5/061 ,  G01J5/0802 ,  G01J5/20 ,  G01J5/48 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明属于制冷型红外探测器技术领域，具体为一种抑制阳光反射干扰的封装杜瓦及制冷型红外探测器，红外探测器包括制冷机和封装杜瓦。其中封装杜瓦包括冷指部件、芯片、陶瓷基板、冷屏、滤光片、窗片、窗框；结合云层、海面、湖面等处阳光反射红外辐射的光谱特性选定的特殊光谱波段，采用特殊波段滤光片，同时将探测器芯片外延材料的中波波段的截止波长延长，降低中波波段中某一红外波段的响应率来减少阳光反射红外辐射的能量，从根本上可有效降低波段内阳光反射导致的背景噪声，同时保证不降低目标辐射能量，另一方面将滤光片和外延材料的截止波长延长，以获取更多的目标辐射能量，进一步提高响应率，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115347065A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202211026489.0

申请日：2022-08-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  林勇徽 ,  张春伟 ,  王琮 ,  岳文静 ,  高嵩 ,  阚皞

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G02B27/01

Abstract: 本公开涉及视觉感知神经系统技术领域，提出了一种柔性人工视觉伤害感受器及其制备方法、智能眼镜系统，柔性人工视觉伤害感受器，包括由下至上依次设置的底电极层、二维MoS2层、CeO2层与顶电极层；其中，在顶电极和底电极之间的MoS2层和CeO2层作为异质结构层。提出了基于MoS2/CeO2异质结的柔性人工视觉伤害感受器，并基于水热法和磁控溅射法制备出的柔性人工视觉伤害感受器表现出良好的特性，通过其视觉痛觉感知能力为实现下一代神经集成器件提供了新的途径，对加速新一代人工智能发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN115347062A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210986695.X

申请日：2022-08-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十四研究所

Inventor： 黄建 ,  钟玉杰 ,  向华兵 ,  杨修伟 ,  袁安波 ,  姜华男 ,  廖乃镘

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅辅助刻蚀的黑硅微结构及其制备方法，包括在硅片表面生长一多晶硅层，多晶硅层形成有一具有第一粗糙度的初始表面；对多晶硅层进行掺杂、氧化工艺，在硅片表面形成一表面具有第二粗糙度的二氧化硅层，得到刻蚀掩膜结构；利用刻蚀掩膜结构同步刻蚀二氧化硅层及硅片的衬底，将刻蚀掩膜结构按照预设比例转移至衬底上，形成黑硅微结构，工艺简单，成本低，制备过程对设备的硬件要求低，有利于批量化生产并且与硅光电器件工艺兼容性好，制备的黑硅微纳结构精细化程度适中，近红外吸收效果好。