DAC生成的驱动屏蔽和电压参考
    81.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118103716A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202180100370.0

    申请日:2021-08-18

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 一种电容传感器系统,包括:电容传感器,其具有感测电极和屏蔽电极;调节器电路,其被配置为调节所述电容传感器的电压并基于所述电容传感器的输出生成输出信号;参考信号发生器,其被配置为生成参考信号,经由所述调节器电路将所述参考信号提供至所述电容传感器,并将所述参考信号作为驱动屏蔽信号提供至所述屏蔽电极;以及偏置控制模块,其被配置为生成偏置信号以修改所述输出信号的输出电流。

    一种基于延迟锁相环路的电容检测方法及电容检测电路

    公开(公告)号:CN115575719B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202211187935.6

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: G01R27/26 H03L7/081

    摘要: 本发明实施例提供一种基于延迟锁相环路的电容检测方法及电容检测电路,将参考时钟信号通过第一电容进行延迟处理,得到第一延迟信号;将第二延迟信号与所述主通路在上一时间步的输出信号通过第二电容进行延迟处理,得到第三延迟信号,其中,第二延迟信号为校准环节中,当环路锁定时相对于所述参考时钟信号的延迟信号;将第一延迟信号与第三延迟信号输入主通路,得到主通路在当前时间步的输出信号;在主通路在当前时间步的输出信号稳定时,根据当前时间步的输出信号计算第一电容的值。本发明在使得延迟锁相环路的能在提高电容检测范围的同时,避免使用参考时钟信号造成信号通路与消除通路的延迟无法相等,使得延迟锁相环锁定失败的情况。

    一种验证电容失配测试结果的系统及方法

    公开(公告)号:CN112989743B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202110170193.5

    申请日:2021-02-05

    发明人: 范象泉

    摘要: 本发明公开了一种验证电容失配测试结果的系统及方法,所述系统包括:若干组实际电容和若干组冗余模拟电容,各组实际电容包括第一叉指结构(10)、第二叉指结构(20)及金属线,用于形成所需测量的电容;各组冗余模拟电容包括第三叉指结构(100)、第四叉指结构(200)及金属线,用于形成所需测量的电容对应的测试结构的连线以及测试系统的寄生电容,所述冗余模拟电容的金属线与其对应的叉指结构在相连处断开。

    基于“耳”字型谐振器的多频近零传输传感器及检测方法

    公开(公告)号:CN112255465B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202011099481.8

    申请日:2020-10-14

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开了基于“耳”字型谐振器的多频近零传输传感器及检测方法,多频近零传输传感器包括两个“耳”字型谐振器、两条连接线和一条馈线;所述馈线的两端分别为输入端口和输出端口;所述两个“耳”字型谐振器对称布置在馈线两侧,且分别通过连接一条连接线与馈线的中间部分相连;其中,在所述两个“耳”字型谐振器上设置有微流通道,用于承载检测及参考微流体;两个“耳”字型谐振器分别被称作测试区域和参考区域,测试过程中,将被测流体和参考流体通过微流通道的进口压进测试区域和参考区域;本发明灵敏度高,频带宽,检测方法简单,易于集成,具有与其他装置组合成微型分析系统的潜质。

    一种测量功率器件C-V曲线的测量电路及其保护方法

    公开(公告)号:CN111141962B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202010059525.8

    申请日:2020-01-19

    申请人: 湖南大学

    摘要: 本发明提供了一种测量功率器件C‑V曲线的测量电路,包括IGBT的三个端子,所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G,所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc,所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge,所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce;测量电路简洁易懂,有完善的保护电路,可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C‑V曲线,且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本发明不需要昂贵的测量仪器,仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单,并且设计有完善的保护电路,将高压和交流信号分开,能够保护仪器的功率器件,适用于高压测试场合。

    一种基于基板表面平整度测量的测高装置及方法

    公开(公告)号:CN118057115A

    公开(公告)日:2024-05-21

    申请号:CN202211447255.3

    申请日:2022-11-18

    摘要: 本发明公开了一种基于基板表面平整度测量的测高装置及方法,包括支架、测头机构、测量机构和信号处理机构,测头机构和测量机构设置于支架上;测头机构的测头极板与测量机构的测量极板构成电容器,电容器与信号处理机构电连接;该测高装置使用接触式测距,但不使用压力值,测头极板与测量极板形成了电容器,利用电容器电容值与两极板间间距的关系,计算出被测物的高度或平整度,具有测量精度高、测量速度快的优点,适用于玻璃等极板表面平整度快速检测的应用。

    一种基于准光学谐振腔的金属表面电阻率的测试方法

    公开(公告)号:CN118011090A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410038391.X

    申请日:2024-01-10

    IPC分类号: G01R27/02 G01R27/26

    摘要: 本发明的目的在于提供一种基于准光学谐振腔的金属表面电阻率的测试方法,属于微波、毫米波材料电磁参数测试技术领域。该方法通过测量双球腔的空腔品质因数、待测样品表面和左侧准光腔球面组成的平凹腔的品质因数、以及待测样品表面和右侧准光腔球面组成的平凹腔的品质因数,基于三次品质因数的测量结果,完成了对双球腔两个球面的镜面损耗的扣除。利用本发明的测试方法,可以实现对金属表面电阻的高精度测试,在高频率下测试精度有所提升,在360GHz和460GHz下分别测试了两种典型金属铜和不锈钢,测量结果显示,总体测量误差都小于15%。

    一种压电晶体、电感器等效参数以及电容容值测量方法

    公开(公告)号:CN112394232B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202011292243.9

    申请日:2020-11-18

    申请人: 刘东

    发明人: 刘东

    摘要: 本发明公开了一种电晶体、电感器等效参数以及电容容值测量方法,在压电晶体等效参数测量方法的基础上,考虑环路阻抗的影响,环路电阻R0取值范围内不断取值(可以从小到大步进取值),然后依据得到的压电晶体BVD等效电路的参数计算幅频曲线,最后比较最高点,直到间距小于设定的阈值,这样充分考虑了环路电阻R0的影响,提高了压电晶体等效参数测量的准确性。在此基础上,将电感器视为压电晶体进行测量,利用等效关系方法,得到电感器的等效参数。进而利用串并关系,对待测电容容值,从而提供了一种新的电感器等效参数、电容容值测量方法。

    冲击机械应力加载系统及试验方法

    公开(公告)号:CN117968999A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410094987.1

    申请日:2024-01-23

    IPC分类号: G01M7/08 G01L5/00 G01R27/26

    摘要: 一种冲击机械应力加载系统及试验方法,系统中,实验桌支承于地面;电动推杆固定于实验桌,电机安装于支撑板上,电机设有通过改变电压实现转速控制的电机转速调节旋钮,推杆竖直地可移动连接于支撑板,推杆经由传动轴驱动以垂直地伸缩移动;力锤安装于推杆的底端以随推杆垂直地伸缩移动,采集卡连接力锤以采集冲击机械应力,电脑连接采集卡以存储和处理冲击机械应力;薄膜电容器设于力锤下方且经由力锤试验以加载冲击机械应力,电桥连接薄膜电容器以测量试验前后薄膜电容器的电容值。