本发明提供了一种测量功率器件C‑V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C‑V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本发明不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。