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公开(公告)号：CN118533896A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410115581.7
申请日：2024-01-29
申请人： 苏州夷希微科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种MEMS微热板式气体传感器及其制作方法，其中，传感器利用深硅刻蚀工艺在硅衬底的底面形成释放通孔，方便后期隔热空腔的形成，隔热空腔能够有效减少加热电极由于热传导所损耗的热量，增加了气敏薄膜上测试区域的有效面积，同时却有效降低了器件的工作功耗，另外，硅衬底背面的释放通孔的设计可以有效地减少支撑平台的应力，减少支撑平台在反复工作过程中断裂的可能，有效提高器件使用寿命。在本申请的MEMS微热板气体传感器的制作过程中，加热电极和测试电极处于隔绝层和光敏薄膜的下方，因而在后续的制作工艺中不受影响，有效减少了由于杂质的影响导致加热电极和测试电极短路失效的问题，从而提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN118533159A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410969271.1
申请日：2024-07-19
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01C19/5656 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/5663
摘要： 本发明公开了基于自差分电极的微惯性敏感结构及制备方法，包括锚点，以及与锚点弹性连接的质量块；质量块为两个以上，各质量块之间为弹性连接；质量块之间还连接有差分电极，各质量块之间的弹性连接方式为通过耦合刚度件连接；锚点与质量块之间的弹性连接方式为通过支撑刚度件连接。本发明通过将质量块以弹性连接的方式固定在锚点上，质量块、耦合刚度件与支撑刚度件共同形成可活动的谐振结构，然后将差分电极的两极固定在可活动的谐振结构上，从而使MEMS传感器在外界振动等复杂环境下，实现电极在振动环境下的自差分，有效改善MEMS传感器在实际应用环境下的噪声性能、输出精度及鲁棒性。
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公开(公告)号：CN118529694A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410872425.5
申请日：2024-07-01
申请人： 上海芯绒科技有限公司
发明人： 许森
摘要： 本申请涉及传感器技术领域，具体而言，涉及一种MEMS超声传感器、制备方法及超声检测装置。所述MEMS超声传感器的制备方法，一种MEMS超声传感器的制备方法，包括：步骤S100、提供基板，所述基板包括相对的第一表面和第二表面；步骤S200、在所述基板的第一表面形成压电薄膜；步骤S300、在所述基板的第二表面刻蚀出空腔，以使所述基板形成敏感薄膜以及围绕所述空腔并支撑所述敏感薄膜的基座，其中，所述基座的内壁面和所述敏感薄膜的相交处为弧面。本申请实施例提供的MEMS超声传感器，能够避免应力在角区集中，有利于提高传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN111960376B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010706847.7
申请日：2020-07-21
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS支撑和电连接孔结构，所述支撑和电连接孔结构呈缩口瓶状，其瓶口设置在微桥上，所述瓶口的投影面积小于瓶身的投影面积，用于实现对微桥的支撑以及微桥和衬底之间的电连接。还公布了一种MEMS支撑和电连接孔结构的制备方法。借助缩口瓶状的支撑和电连接孔结构，可以在保证有效电连接的前提下，提升填充因子，从而提升光吸收率和MEMS的整体性能，同时形成瓶口和部分的瓶底具有金属Ti钛层、瓶身没有金属Ti钛层但整个缩口瓶状结构都具有金属电极层的支撑和电连接孔结构，避免释放气体通过金属钛Ti层钻蚀到其他膜层，引起整个器件失效。
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公开(公告)号：CN118515234A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310138427.7
申请日：2023-02-20
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明提供一种环境湿度调控限域空间的方法及在分子组装中的应用，所述方法可以通过自组装的方式在任意基底上构筑具有不同分子组装堆积结构的图案，可以极大地扩展分子图案的可调控范围以及分子组装的应用范围，为后续的分子纳微图案与性能调控、分子器件制备与应用的研究提供更多便利。而且本发明具有相当大范围的普适性，并不局限于某一种或某一类分子。所述方法能够解决有机功能分子图案内部的分子组装堆积结构的可调控性，为在分子堆积结构、纳米及微米形貌与宏观结构等各个层级均可协同调控提供了新的途径，并在此基础上形成多样化高精度有机功能分子图案，这些分子图案可以进一步应用于功能性的分子器件中。
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公开(公告)号：CN109950237B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201711396722.3
申请日：2017-12-21
申请人： 成都万应微电子有限公司
发明人： 黄玲玲
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/535 , B81B7/02 , B81C3/00
摘要： 本发明公开了一种传感器微系统及封装方法，该方法包括：将功能芯片晶圆进行晶圆级封装，得到晶圆级封装功能芯片晶圆，功能芯片晶圆包括处理器芯片或者控制器芯片；在功能芯片晶圆对应的位置，将传感器芯片与晶圆级封装功能芯片晶圆的正面进行组装电互连；制作覆盖晶圆级封装功能芯片晶圆的筑坝框，并在筑坝框上制作与传感器芯片对应的通孔；将筑坝框固定在晶圆级封装功能芯片晶圆的正面，并使传感器芯片置于通孔内；在通孔内填充覆盖传感器芯片的软胶或硅胶，得到包含有晶圆级封装功能芯片晶圆和传感器芯片的传感器微系统晶圆。实施本发明，实现传感器微系统级封装，缩短传感器芯片与功能芯片晶圆之间的互连线，提高工作性能，降低封装引起的应力。
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公开(公告)号：CN118495464A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410809443.9
申请日：2024-06-21
申请人： 松诺盟科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种纳米薄膜芯体封装工艺及制造方法，涉及压力传感器技术领域，包括按照芯体工艺生产出纳米薄膜压力芯体，其中纳米薄膜压力芯体包括金属基底和镀于所述金属基底上的惠斯通电桥纳米膜层，所述惠斯通电桥纳米膜层包括绝缘层、设于所述绝缘层上的压敏层、设于压敏层上的焊盘层和保护层，其中焊盘层裸露在保护层外，本发明通过将制作出来的纳米薄膜压力芯体进行进一步封装，便于使用人员直接连线使用，而不需要经过专用金丝球焊机绑线；并且通过采用通孔型信号端子或实心公针与封装罩进行玻璃微溶连接，方便生产表压、密封表压和绝压芯体。
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公开(公告)号：CN118495456A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410014373.8
申请日：2024-01-04
申请人： 王传蔚
发明人： 王传蔚
摘要： 本发明公开一种互补式金氧半微机电压力传感器的制作方法，首先提供一互补式金氧半装置，其包括依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层。图案化多晶硅层包括未掺杂多晶硅。接着，移除金属布线层的外露的氧化绝缘结构，并形成一第一金属层于第二氧化绝缘层、图案化多晶硅层与金属布线层上。此外，移除第一金属层的部分与氧化绝缘结构的部分，以露出未掺杂多晶硅，并形成一腔体与一孔洞。形成一第二金属层于第一金属层上，以密封孔洞。
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公开(公告)号：CN118268702B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410703938.3
申请日：2024-06-03
申请人： 深圳市青虹激光科技有限公司
IPC分类号： B23K26/04 , B23K26/046 , B23K26/38 , B81C1/00 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种调节装置和激光加工设备，涉及激光加工技术领域，该调节装置应用于激光加工设备，激光加工设备包括供激光穿过的波片，调节装置包括安装座和载片台，安装座包括座体、弹性模组及调节模组，弹性模组限位设于座体，调节模组可活动设于座体，载片台通过弹性模组弹性连接于座体，载片台与座体之间形成调节空隙，调节模组穿过调节空隙，并与载片台活动抵接，载片台用于装载波片；其中，通过调节模组调节调节空隙的大小，以用于调节载片台相对安装座的位置。本发明旨在通过该调节装置对穿过的激光进行调制，以保证激光改质打点的扩散方向与激光移动方向一致，提升加工精度。
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公开(公告)号：CN110902643B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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