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公开(公告)号：CN110467151A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910832255.7
申请日：2019-09-04
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本申请公开了一种MEMS晶圆封装设备，包括MEMS晶圆处理腔、窗口处理腔、对准腔、键合腔及机械臂；所述MEMS晶圆处理腔、所述窗口处理腔、所述对准腔、所述键合腔为真空腔体；所述真空腔体之间通过真空管道相连接；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间，用于将经过所述MEMS晶圆处理腔处理后的MEMS晶圆与经过所述窗口处理腔处理后的窗口晶圆运送至所述对准腔进行对准，得到MEMS待键合晶圆；所述机械臂设置于所述MEMS晶圆处理腔与所述窗口处理腔之间的真空腔体中。本申请避免了上述步骤中对MEMS功能区的污染、损伤及静电击穿，此外，由于所述设备内部处于真空，提高了封装质量。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的MEMS晶圆封装方法。
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公开(公告)号：CN110797315A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN110902643B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110797315B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN110902643A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN211847141U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201922072681.3
申请日：2019-11-25
申请人： 烟台睿创微纳技术股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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