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公开(公告)号：CN111560637B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010461603.7
申请日：2020-05-27
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆电镀设备。该晶圆电镀设备包括：电镀液槽，所述电镀液槽设置有搅拌装置，用于搅拌电镀液；盖子，所述盖子盖接在所述电镀液槽上；晶圆，所述晶圆可旋转地安装在所述盖子上；和第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述晶圆传动连接，用于驱动所述晶圆周向旋转。本发明提供的晶圆电镀设备中，电镀过程中，搅拌装置可搅拌电镀液槽中的电镀液，电镀液分布均匀，第一驱动机构可驱动晶圆旋转，金属离子可更均匀地电镀在晶圆表面，避免由于电势线不均匀分布导致金属离子不均匀电镀在晶圆表面，使用方便，电镀效果好。
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公开(公告)号：CN116144016B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111395634.8
申请日：2021-11-23
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种光刻胶，其包括如下原料：如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂，所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1～5。本发明的光刻胶可以形成具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114194629B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210007236.2
申请日：2022-01-05
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及引线框架料盒收纳装置，其包括支架、挡杆及弹性复位装置，所述支架设置有用于容纳引线框架料盒的容纳空间且允许引线框架料盒在所述容纳空间内移动；所述挡杆具有一突出部，所述挡杆设置于所述支架上且所述突出部突入所述容纳空间内，所述突出部位于引线框架料盒的移动路线上；所述挡杆可活动地设置，所述挡杆的突出部受引线框架料盒撞击时所述突出部移离引线框架料盒的移动路线；所述突出部移离引线框架料盒的路线时，所述挡杆使所述弹性复位装置变形而产生变形力，所述弹性复位装置具有使所述挡杆复位的趋势。本发明利用支架上设置的容纳空间收纳使用后的引线框架料盒。挡杆可以挡住引线框架料盒，防止引线框架料盒倾倒。
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公开(公告)号：CN110904484B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201911332462.2
申请日：2019-12-22
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体，所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部，所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧，所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面显露口的多阶导流面。本发明所提供的晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，整体结构布置紧凑、内部结构精巧且功能全面，通过晶圆挂具部，可同时电镀多块晶圆，每块晶圆只镀一侧表面，通过电镀扩散与屏蔽部的多阶导流面可使得电镀液充分扩散，以保证电镀液均匀地电镀到晶圆上，达到厚度均匀的要求。
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公开(公告)号：CN119220356A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310795353.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: C11D1/722 , C11D3/30 , C11D3/39 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D3/04 , C11D3/60 , C23G1/18 , C23G1/20
Abstract: 本发明公开了一种清洗液的制备方法。本发明的清洗液的制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，得到所述的清洗液；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑30％的氧化剂、胺类有机物、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的胺类有机物为氮烷基氢氧化铵和/或醇胺；所述的螯合剂为未取代或被一个或多个C1‑C4烷基取代n乙烯m胺、多乙烯多胺和含氮有机酸中的一种或多种；n为2‑10的整数，m为3‑10的整数；所述的表面活性剂为EO‑PO聚合物L43；所述的清洗液不含金属离子。采用本发明的制备方法制得的清洗液具有较佳的清洗效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119220352A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310795351.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，得到所述的清洗液；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑40％氧化剂、胺类有机物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的胺类有机物为氮烷基氢氧化铵和/或醇胺；所述的螯合剂为未取代或被一个或多个C1‑C4烷基取代n乙烯m胺、多乙烯多胺和含氮有机酸中的一种或多种；所述的表面活性剂为聚醚酰亚胺和/或聚乙酸乙烯酯；所述的清洗液不含氟化铵；所述的清洗液不含金属离子。采用本发明制备方法制得的清洗液有较佳的清洗效果和腐蚀效果等。
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公开(公告)号：CN118824903A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411138758.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种温度控制装置及晶圆清洗设备，晶圆清洗设备包括清洗槽、连接管路和的温度控制装置，温度控制装置与清洗槽之间通过连接管路连通，连接管路用于在温度控制装置和清洗槽之间建立供清洗媒介流通的循环通路，通过循环通路实现清洗媒介的实时加热和控温。温度控制装置包括壳体和温度控制单元，温度控制单元设置于壳体，壳体具有容腔，容腔用于容纳清洗媒介，在容腔内设置制冷单元和制热单元，温度控制单元根据接收到的温度信号控制制冷单元或者制热单元启动给清洗媒介制冷或者制热。本发明的技术方案能够实现清洗槽中清洗液的实时在线控温，以便更好、更有效地对晶圆进行清洗。
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公开(公告)号：CN118768290A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411138781.0
申请日：2024-08-19
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备，晶圆封装设备包括运送装置和晶圆清洗装置，运送装置将装载晶圆的提篮运送至晶圆清洗装置中对晶圆进行清洗，晶圆清洗装置包括清洗槽和盖板机构，盖板机构包括支架、驱动组件、多个传动组件和多个盖板组件，支架固定在清洗槽上，盖板组件固定在清洗槽的开口处边缘，驱动组件和多个传动组件设置在支架上，驱动组件与多个传动组件相连接，盖板组件与传动组件一一对应连接设置，驱动组件同时驱动多个传动组件带动对应的盖板组件同时开启或关闭。本发明的技术方案为清洗槽设计了能够自动开启和关闭的盖板机构，无需人力介入，实现晶圆清洗、封装的自动化，提高了晶圆处理的效率。
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公开(公告)号：CN118726009A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310349454.9
申请日：2023-03-31
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面处理液的应用。本发明的晶圆表面处理液可用于清洗刻蚀后的晶圆；该晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑20％含硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量。本发明的表面处理液处理晶圆之后，IPA接触角明显增大，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN113430066B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010230594.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: C11D1/722 , C11D3/60 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/386 , C11D3/39 , C11D11/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性移除硬遮罩的清洗组合物、其制备方法及应用。所述的清洗组合物由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：10％‑45％的氧化剂、0‑1.5％的D‑氨基酸氧化酶、0‑2.5％的D型氨基酸、0.1％‑15％的有机碱、0.001％‑15％的螯合剂、0.005％‑15％的缓蚀剂、0.05％‑15％的羧酸铵、0.005％‑1.5％的EO‑PO聚合物L42、0.005％‑2.5％的钝化剂和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明清洗组合物对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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