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公开(公告)号：CN112951103A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112947009A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN111834503A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535548.1
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834390A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834388A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN119923038A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411917399.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10H20/814 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种高准直出光的Micro‑LED结构，属于半导体发光器件领域。器件结构从上到下依次为金属反射层、填充层、N型半导体、多量子阱、P型半导体、ITO电极、填充层、金属反射层。此器件结构设计可提高出射光的光强，提高器件出光准直度的同时筛选出光波段，使Micro‑LED出光色纯度更高、半峰宽更窄以及提高出射光束的利用率。利用金属镀膜来形成上下两层共焦谐振腔，提高Micro‑LED的出光性能，本发明进一步拓展了半导体可见光发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN119630180A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411513923.7
申请日：2024-10-29
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/805 , H10K50/16 , H10K50/15 , H10K50/115 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开一种双电流栅调控发光器件，涉及光电显示领域，包括：第一面栅极、第一电子传输层、第一面电极层、第二电子传输层、发光复合层、第二空穴传输层、第二面电极层、第一空穴传输层、第二面栅极；第一面栅极、第一面电极层施加第一偏置电源，第二面栅极、第二面电极层施加第二偏置电源；第一面电极层与第二面电极层之间被施加驱动信号用于驱动空穴‑电子在发光复合层复合并发光；第一配置电源、第二配置电源能够调控发光复合层内的电子空穴迁移量。本发明通过在传统发光器件两侧增加电流栅结构，能够有效解决发光复合层内应电子、空穴载流子迁移率的不平衡问题，有效提高电子‑空穴发光复合能效，同时，发光亮度与发光效率能够同效优化。
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公开(公告)号：CN119580636A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510032226.8
申请日：2025-01-09
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种基于单向截流电流栅调控发光器件的调控栅流确定方法，包括：在阳极和阴极之间施加第一灰阶值相对应的第一驱动信号，并向单向截流电流栅结构的第一调控电极施加第一栅极调控电流；持续改变第一栅极调控电流，并实时采集各个不同第一栅极调控电流对应的第一发光效率；响应于第一发光效率与标准发光效率相匹配，将对应的第一栅极调控电流确定为第一灰阶值的标准栅极调控电流；获得多个不同灰阶值对应的标准栅极调控电流；根据不同灰阶值及其对应的标准栅极调控电流之间的线性关系，获得第一函数关系；根据第一函数关系，获得发光器件的各个灰阶值对应的标准栅极调控电流。本发明可以快速确定不同灰阶值对应的标准栅极调控信号。
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公开(公告)号：CN118382317A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410510141.1
申请日：2024-04-26
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/30 , H10K50/805 , H01L33/00 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开一种栅极调控无注入型发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：无注入型发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；无注入型发光单元依次包括：第一电极、绝缘层、量子点发光层、载流子传输/注入层、第二电极；栅极绝缘层设置于无注入型发光单元与栅极调控电极之间，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一交流电源，第一交流电源用于为无注入型发光单元提供电场使其发光，栅极调控电极相对于第一电极或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控无注入型发光单元内的载流子的迁移率而调整无注入型发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。
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