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公开(公告)号：CN110097174B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910323955.3
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA和行输出优先的卷积神经网络实现方法、系统及装置，包括：初始化FPGA的可编辑资源，生成输入缓存模块、输出缓存模块、PE阵列模块和池化模块；其中，输入缓存模块包括图像缓存模块、权值缓存模块和偏置缓存模块；通过FPGA的通信模块加载待处理图像数据、权值及偏置，并存储于FPGA的内存存储器；将卷积计算分组，逐组进行卷积计算并累加，获得整个卷积计算的计算结果；获得的计算结果通过FPGA的通信模块输出。本发明采用行输出优先的分组处理方法，可根据不同卷积神经网络模型结构调整特征参数，便于硬件与软件模型的匹配；基于资源有限的FPGA，可完整实现CNN多层卷积全流程的计算。
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公开(公告)号：CN111129178A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911368897.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺，阴极接触电极设置于GaAs衬底的下表面，阳极接触电极设置于GaAs衬底的上表面，阳极接触电极与GaAs衬底之间设置石墨烯层，外接电极设置于阳极接触电极的上表面，受光孔贯穿外接电极和阳极接触电极，GaAs衬底的上表面还覆盖有钝化层，阳极接触电极从下至上依次为Ni层、Ge层、Au层、Ni层和Au层。目前大多数的光导开关是围绕砷化镓和多层金属形成欧姆接触的原理在制作，但是开关器件面临着寿命短，散热不均匀，容易烧坏等现象，本发明将高质量的石墨烯转移到目标衬底上再在表面上镀上金属形成砷化镓～石墨烯～金属的复合结构，这对于器件的散热和寿命有着很大的作用。
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公开(公告)号：CN106324062B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610630041.8
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明公开了一种金纳米孔薄膜电离式一氧化碳传感器，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底及设有小透气孔的电极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有小槽的收集极构成；三电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径为0.8～5mm、小引出孔的孔径为1.2～7mm，小槽的边长和槽深分别为1.2×1.2～7×9mm和50～220μm；三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和小槽的边长和槽深设定。该金纳米孔薄膜电离式一氧化碳传感器根据电流大小检测气体浓度，工作电压小，收集极电流大，灵敏度高，可检测氮气背景气体中的一氧化碳气体。
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公开(公告)号：CN109781795A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910074857.0
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开一种碱式碳酸钴与RGO的复合结构的气敏薄膜传感器及其制备方法，过程为：先制备出氧化石墨烯的分散液，再将其与六水氯化钴和尿素的混合液进行进一步均匀混合，采用一步水热法，即可得到碱式碳酸钴与RGO的复合结构的气敏薄膜，再将其滴涂到洁净的叉指电极上，在40-80℃烘1-60分钟，得到碱式碳酸钴与RGO的复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服传统传感器的缺点，简化了制备工艺，同时还实现室温检测。本发明克服了碱式碳酸钴材料低电导率的问题，通过引入RGO提升了材料的电导率，使得环境噪声的影响被极大降低。本发明克服了RGO的气体吸附位不足的缺点，通过引入碱式碳酸钴为传感器提供了大量的气体分子吸附位，极大的提升了传感器的气敏响应。
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公开(公告)号：CN106324077B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201610629251.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
Inventor： 张勇 , 潘志刚 , 张健鹏 , 张嘉祥 , 程珍珍 , 陈麒宇 , 童佳明 , 梁冰点 , 史京辉 , 张晶园 , 贺永宁 , 李昕 , 王小华 , 刘定新 , 杨爱军 , 荣命哲
IPC: G01N27/70
Abstract: 本发明公开了一种金纳米孔薄膜电离式氟化亚硫酰传感器，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的电极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有小深槽的收集极构成；三电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径为0.6～4mm、小引出孔的孔径为1～6mm，小深槽的边长和孔深分别为1×1～6×8mm和50～200μm；三电极之间的极间距按照小透气孔和小引出孔的孔径及小深槽的边长和孔深设定。该金纳米孔薄膜电离式氟化亚硫酰传感器根据电流检测氟化亚硫酰浓度，工作电压小，收集极电流大，灵敏度高，可检测六氟化硫背景气体中的氟化亚硫酰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106198678B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610629330.6
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明公开了一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，包括三个自下而上依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的阴极构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由板面设有深槽的收集极构成；三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径设定后；三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定。该金纳米孔薄膜电离式二氧化硫传感器通过电流检测二氧化硫浓度，与现有技术相比其工作电压小，收集极电流大，灵敏度高，可检测六氟化硫背景气体中的二氧化硫。
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公开(公告)号：CN106250632A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610629640.8
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明为一种三电极电离式碳纳米管气体传感器的结构优化方法，包括1)根据传感器尺寸、电极极间距、电极厚度、透气孔孔径和数量、引出孔孔径和数量、盲孔尺寸和数量，及模型尺寸单位，基于流体模型，建立传感器场域的二维轴对称模型；2)建立流体模型中的质量守恒方程、能量守恒方程和泊松方程；3)设定温度、大气压力和加载电压等初始条件，添加气体电离的反应式及其反应速率以及电极边界反应式；4)对传感器场域模型进行剖分，对碳纳米管和边界进行细刨分；设置传感器输出稳定时的时间范围，并设定时间步长；5)计算传感器的稳态输出电流密度，选择电流密度最大的结构作为最优结构。本发明为设计合理的电离式传感器提供有效的方法。
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公开(公告)号：CN106248779A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610629639.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安交通大学
Inventor： 张勇 , 程珍珍 , 梁冰点 , 潘志刚 , 张嘉祥 , 张健鹏 , 童佳明 , 陈麒宇 , 张晶园 , 王小华 , 刘定新 , 杨爱军 , 贺永宁 , 李昕 , 荣命哲 , 陈晓文
Abstract: 本发明公开了一种具有温度补偿功能的金纳米孔薄膜三电极电离式传感器阵列，有n个不同极间距的传感器，一个传感器检测温度，收集电流值随着温度的增加而增加。其余多个传感器检测混合气体浓度，收集电流值随着气体浓度的增加而减小。每个传感器包括第一、第二和第三电极，第一电极内表面附着有分布着金纳米孔的金属膜基底及设有小透气孔，n个传感器的第一电极制作在同一极板上；第二电极设有小引出孔；第三电极设有深槽；三电极通过绝缘支柱隔离；每个传感器之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定。该传感器阵列具有工作电压小、收集电流高及灵敏度高的优点。可以同时检测各组分气体浓度和温度。
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公开(公告)号：CN104992891A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274946.1
申请日：2015-05-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种基于二维材料的场效应管沟道型场致发射阴极及其制备方法。该由背栅与源漏电压调制的沟道型场致发射纳米阴极是指利用外加偏置电压改变作为导电沟道的二维材料中的电子供给函数，进而调节场致发射电流密度，实现一种由电场调制的场发射冷阴极。为提高二维纳米材料场致发射电流的稳定性提出了一条新的解决方案，并为高频可调控的场发射阴极提供一条新的实现途径，从而推动具有低发射阈值电压的二维材料纳米冷阴极在真空微电子领域的实际应用。
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公开(公告)号：CN103212924A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310125912.7
申请日：2013-04-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23K35/365 , B23K35/40
Abstract: 本发明公开了一种电子封装用的石墨烯包覆铜焊丝及其制备方法，在普通铜焊丝表面直接生长或移植石墨烯薄膜，所生长或移植的石墨烯薄膜将铜焊丝包覆，从而制成石墨烯包覆铜焊丝。包覆在铜表面的石墨烯薄膜起到保护膜的作用，避免铜焊丝在运输，存储及使用过程中氧化。特别是在焊接的高温环境下，石墨烯首先被氧化以避免内部的铜被氧化而导致焊接质量下降，同时石墨烯氧化生成的二氧化碳也可以形成保护气，进一步避免铜被氧化。此外，石墨烯的良好导热性能也有利于焊接热量的散发。由于石墨烯薄膜的存在，很好的保证了铜焊丝的焊接质量，有利于提高电子封装质量和成品率。
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