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公开(公告)号：CN108270008A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810061273.5
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层石墨烯的方法。这种单层结构的石墨烯纳米材料，是以石墨为前驱体，以熔融碱金属作为溶剂，通过溶剂热实现单层石墨烯的制备。本发明主要是利用在高纯氩气的保护下，利用溶剂热法，将碱金属离子嵌入到石墨层之间，得到碱金属嵌入的单层石墨烯材料，然后再依次通过正己烷、去离子水清洗，通过离心分离等工艺，制备出了高纯度的单层结构的石墨烯纳米材料。本发明的制备工艺简单，成本低廉，所制备的纳米材料具有高比表面积、良好的导电性。结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108258155A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810041432.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/56 , C23C16/455 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/56 , C23C16/45525 , H01L51/502
Abstract: 本发明涉及ALD生长绝缘介质材料用以调控和平衡全无机QLED的载流子输运的方法，主要包括：在全无机QLED空穴传输层或电子传输层与量子点（QD）层之间，利用ALD方法生长一薄层绝缘介质材料，用以修饰界面态从而降低缺陷态对载流子的捕获、调控载流子传输使电子和空穴平衡注入，从而获得高稳定性、高发光效率的全无机QLED器件。该方法充分利用ALD逐层精确生长、膜层均匀致密、沉积温度低的优点，实现对载流子传输层厚度的精确调控，对制备高稳定、高效率全无机QLED器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108102643A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810061802.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/025 , B29C41/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C09K11/664 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
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公开(公告)号：CN104778460B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510193655.X
申请日：2015-04-23
Applicant: 福州大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明涉及一种在复杂背景以及光照下的单目手势识别方法，首先对获取的图像进行肤色识别，得到初步手部图像；接着使用帧间差分法对处理后的初步手部图像进行运动物体检测，得到较为完整的手部轮廓图像；然后对步骤S2得到的较为完整的手部轮廓图像建立轮廓凸包模型，并判断手势，进而完成复杂背景下进行手部识别得到手部模型；最后对步骤S3提取出的手部模型计算重心，获得运动轨迹，完成复杂背景下进行动态手势识别。本发明能够减少光照影响，提高手势判读识别率，能够在复杂背景下进行手势识别。
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公开(公告)号：CN104882383B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047819B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift‑off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104075190B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410285691.4
申请日：2014-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
Abstract: 本发明提供了一种基于量子点导光板的背光模组，包括光源、导光板以及设于导光板上方的光学模组和设于导光板下方的反射片，所述导光板厚度为0.1~6mm，所述导光板下表面分布有导光网点，所述导光网点为量子点和扩散粒子的复合材料，所述量子点被光源激发后发出的光与光源发出的光复合形成白光。本发明通过在导光网点中加入量子点材料，实现了将单色光转换为白光，该背光模组具有散热好，色域广，光效高等优点。且制备过程只改变丝网印刷的浆料，不改变制作背光模组的传统工艺。
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公开(公告)号：CN104409774B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410237589.7
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/139
Abstract: 本发明涉及一种锂电池的3D打印方法，首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层，随后，在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号：CN105667085A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610023109.6
申请日：2016-01-14
Applicant: 福州大学
CPC classification number: B41J2/01 , B41J3/407 , B41M1/26 , B41M5/0047
Abstract: 本发明涉及一种实现图形化喷墨打印精细障壁阵列及其制造方法。该障壁阵列包括一基板，沿水平和垂直方向平行交错间隔排列设置于基板表面的储液槽阵列，以及设置于储液槽阵列底部的过渡层。本发明只需根据喷墨打印墨水的水性或油性设计加工形成所需的障壁阵列，将障壁阵列作为喷墨打印的基础点进行打印，从而实现图形化喷墨打印。该方法不仅可以有效地简化图形化喷墨打印的制作工艺，且可提高图形化喷墨打印的精度和降低图形化喷墨打印的成本。
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公开(公告)号：CN105523554A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610078743.X
申请日：2016-02-04
Applicant: 福州大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/82
Abstract: 本发明涉及一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法，包括以下步骤：提供一催化剂金属；提供一液态碳源，将催化剂金属浸没在该液态碳源中；提供一激光光源，使其透过液态碳源照射于该催化剂金属上，使催化剂金属瞬间加热，液态碳源在催化剂金属的作用下在催化剂金属表面形成石墨烯薄膜。若使激光光源按一定的图案对催化剂金属进行扫描照射，还可以在催化剂金属表面形成图案化石墨烯薄膜；该方法升温与降温速度快，具有快速制备石墨烯的优点。
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