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公开(公告)号：CN112435929B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910790886.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号：CN111916409A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910374133.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开了一种功率模块及其制作方法，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。
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公开(公告)号：CN112151521B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN112151521A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN112435972A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910789869.1
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：衬底，衬底的一侧为电路层；设置在电路层上的至少一个第一芯片，且每个第一芯片与电路层电连接；镶嵌在衬底上的印刷电路板，且印刷电路板外露在电路层一侧；且印刷电路板与至少一个第一芯片电连接；设置在印刷电路板的至少一个第二芯片，且每个第二芯片与所述印刷电路板电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在衬底中承载芯片，方便了芯片的设置，并且通过芯片可以通过印刷电路板、衬底直接散热，提高了散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112435929A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910790886.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号：CN110581110A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910760416.6
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种功率模块组件，涉及电子设备领域。包括：散热器和功率电子器件，所述散热器设有安装槽，所述功率电子器件设置于所述安装槽内，所述安装槽的开口处设有盖板，所述盖板上设有多个通孔，所述功率电子器件包括多个电极引脚，所述电极引脚从所述通孔伸出至所述安装槽外部。本发明提供的功率模块组件，通过在散热器上设置安装槽，将功率电子器件设置于安装槽内，实现了功率电子器件与散热器的一体化集成。从而使功率电子器件不用再进行单独的封装，摆脱了封装外壳的限制，降低了整体重量，也避免了封装外壳的材料成本。同时，由于功率电子器件集成在了散热器内部，减小了整体的体积。
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公开(公告)号：CN112713090B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112992836A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911275842.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
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公开(公告)号：CN112713090A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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