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公开(公告)号：CN101935869B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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公开(公告)号：CN102412394B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110321222.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法，包括：将锡纳米棒加入到乙醇溶液中，超声分散；随后依次加入一定量的水、氨水和正硅酸乙酯溶液，反应30～720分钟，离心分离并干燥，得到锡/二氧化硅核壳纳米棒，再将其放置于管式炉中进行硫化反应，反应温度为400～600℃，反应时间为30～720分钟，得到层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒。本发明的方法可用于大批量生产，便于其在锂离子电池负极材料上的商业化应用，而且本发明方法合成的层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒应用在锂离子电池负极材料上时循环性能显著提高。
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公开(公告)号：CN102394256B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110362766.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法，采用溶液法利用硼氢化钠还原铜盐和铟盐制备Cu-In合金纳米颗粒，进而将其溶解在有机溶剂中制备成Cu-In合金墨水，涂覆在Si片，Mo片或者玻璃等衬底上制备成前驱体薄膜；而后，在含有H2S/Ar混合气氛中烧结成为表面呈纳米棒阵列的CuInS2薄膜。本发明采用低成本的设备和简单的工艺，制备得到CuInS2阵列化薄膜，其表面纳米棒阵列能够很好的起到陷光作用，可减少反射，增强光的吸收，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103094316A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310032160.X
申请日：2013-01-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片，包括：轻掺n型硅为外延层，外延层中层错、位错等缺陷密度≤0.05/cm2；氮掺杂的重掺n型直拉硅为衬底，衬底的电阻率≤0.005Ω•cm，并且衬底中包含稳定的氧沉淀形核中心，可生成氧沉淀密度≥1×109/cm3。本发明还提供上述n/n+硅外延片的制备方法，其步骤包括：将重掺n型直拉硅在N2气氛下进行高温快速热处理；在热处理后的重掺n型的直拉硅上生长轻掺n型硅外延层；经低温与高温两步热处理，得到本发明的n/n+硅外延片。本发明解决了长久以来难以在n/n+硅外延片重掺n型直拉硅衬底中生成高密度的氧沉淀的难题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102142483B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110004974.3
申请日：2011-01-11
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度，再进行二次常规热处理退火，实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点，具有较大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102849752A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311147.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硼纳米颗粒的制备方法，向等离子体腔中通入含有惰性气体及含硼气源的混合气体，使用射频源激发该混合气体，使所述的含硼气源发生分解反应，生成硼纳米颗粒，所述的硼纳米颗粒由气流携带出等离子体腔进行分离收集。本发明利用等离子体技术制备硼纳米颗粒的方法，具有以下有益效果：(1)尺寸在1到100纳米范围内可调，且尺寸分布的标准偏差小于其平均尺寸的30％；(2)颗粒表面为氢钝化，硼纳米颗粒的纯度≥99.99wt％；(3)生产工艺简单，便于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN102064321B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010555305.0
申请日：2010-11-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/1393 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种多壁碳纳米管与锡钴合金纳米颗粒的复合材料的制备方法，包括：将多壁碳纳米管用高分子电解质进行修饰；配制硼氢化钠的二甘醇溶液；配制氯化锡与氯化钴的二甘醇溶液；将修饰过的多壁碳纳米管分散在硼氢化钠二甘醇溶液中并在氩气保护下升到一定温度；在加热搅拌的条件下，将氯化锡与氯化钴的二甘醇溶液加入上述混合溶液；在160～220℃反应30～60分钟后，降至室温，加入乙醇，离心分离，并干燥，得到最终产物。本发明方法简单，得到的复合材料具有独特结构，锡钴合金纳米颗粒均匀地附着于多壁碳纳米管的表面，用作锂离子电池负极材料具有较低的不可逆容量的降低和较高的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN101879604B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010189800.4
申请日：2010-06-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备金属铟纳米颗粒墨水的制备方法，包括：(1)将氯化铟溶解于多元醇中，加入稳定剂；(2)将含纳还原剂溶解于多元醇溶液中配置成还原剂溶液；(3)将步骤(2)所得的还原剂溶液快速热注入步骤(1)所制备的溶液中进行反应；通过离心、洗涤、干燥，得到金属铟纳米颗粒；(4)将该颗粒溶解于特定溶剂中制备纳米颗粒墨水。本发明还公开了所述金属铟纳米颗粒墨水在硫铟铜薄膜制备中的应用方法。本发明反应简单易行，有成本低、产量大等优点，制备的薄膜表面致密平滑，晶粒尺寸较大，薄膜没有明显的杂相。
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公开(公告)号：CN102560641A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073813.4
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0Ω.cm范围内，有利于增加N型多晶硅材料在制备高效太阳能电池过程中的利用率，从而使得高效太阳能电池的制造成本大幅度降低，而且操作简单，易于在光伏产业大规模应用。
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公开(公告)号：CN102560627A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073865.1
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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