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公开(公告)号：CN111583292B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202010393173.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向双光子钙成像视频数据的自适应图像分割方法。从双光子钙成像视频中选取第k帧到第n帧构建训练样本；根据训练样本构建初始化的单模态背景模型；对上述单模态背景模型的持续实时更新；利用实时更新的单模态背景模型对实时输入的图像进行分割检测。本发明解决了缺少针对双光子钙成像视频数据特性而专门设计背景建模进而图像分割方法的问题，克服了一些现有方法无法适应与利用双光子钙成像视频数据特性的问题，有效保证了处理的准确性和运算效率。
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公开(公告)号：CN116133513A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211689792.9
申请日：2022-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H10N97/00 , H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构的形成方法，基于负载效应的作用，图形化层内的开口尺寸越大，在层间介质层内形成的开口深度越大，因此，可以在所述层间介质层内形成不同深度的第一开口和第二开口。由于电容器件的电容与极板面积、极板间距、极板间介质材料的介电常数值有关，通过获取不同尺寸的第一开口和第二开口，同时通过第一开口和第二开口内填充的介质材料介电常数值的选取，可以获得不同电容值的电容器件；由于第一开口和第二开口采用同一图形化层为掩膜，图形化层仅用一次光刻刻蚀工艺形成，因此不需要多次光刻就可以获得不同电容值的电容器件，有利于节约生产成本，促进电容生产技术的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116088794A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211671407.8
申请日：2022-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结的真随机数发生器。所述真随机数发生器包括采样电路，所述采样电路中包括四个肖特基结，四个肖特基结以交流整流电桥的方式连接，其中一对桥臂的连接点用于接电源，另一对桥臂的连接点接输出检测电路，所述输出检测电路包括运算放大器，四个肖特基结产生的双通路噪声信号接入运算放大器，所述运算放大器输出的脉冲信号作为随机数的采样信号。本发明基于肖特基结的真随机数发生器，只需四个肖特基结及一个简单的桥式电路和运放，设计简洁，制作成本低，而且能生成随机性指标较好的随机数序列，与CMOS工艺兼容且易于制造流片。
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公开(公告)号：CN114363016A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111564710.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于关键词的隐私保护流量检测方法。该方法主要包括如下步骤：1)关键词提取：基于正则表达式，提取出关键词集合；2)流量处理：找出流量中匹配到关键词的位置，将未匹配的部分替换为脱敏信息；3)流量检测：使用正则表达式检测处理后的流量并记录检测结果4)数据校验：校验数据完整性，确保检测系统正常工作。本发明首次提出了基于关键词的中间盒隐私保护流量检测技术，在保护用户流量隐私的同时达到与明文检测相似的精准度，适用于当前以高频率短连接为主的网络环境，效果优于现有方法，且具有效率高、延迟低、方便部署等特点。
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公开(公告)号：CN107505376A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710575314.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管结构的pH值传感器件及其制造方法。制造该器件首先在绝缘层上半导体衬底的半导体层表面沉积前栅氧化层和栅层，通过刻蚀前栅氧化层和栅层形成栅极结构；其次在栅极结构两侧的绝缘层上半导体衬底的半导体层中摻杂形成源漏结构，栅极结构和源漏结构共同构成场效应晶体管结构；进一步地，在绝缘层上硅衬底的背面进行光刻，并刻蚀支撑衬底和埋氧化层，直至半导体层的下表面，并且在刻蚀后的半导体层的下表面沉积背栅氧化层，完成pH值传感器件的制备。本发明利用待测溶液与场效应晶体管背栅的接触，在背栅表面形成双电层结构，通过不同pH值溶液中背栅表面双电层的Zeta电势的变化，改变场效应晶体管的阈值电压，进一步导致传感器件在固定偏置电压下的电阻变化，实现溶液pH值的测试。
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公开(公告)号：CN107424931A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710236801.1
申请日：2017-04-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法。该方法首先在支撑衬底上沉积半导体薄膜和保护绝缘层；其次在保护绝缘层上沉积激光吸收层，并通过刻蚀激光吸收层定义器件区域；利用激光脉冲退火诱导器件区域内的非晶半导体薄膜形核结晶并使得晶粒由器件区域内部向外长大，在器件区域内形成局部单晶结构的半导体薄膜；最后沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体薄膜场效应晶体管器件。本发明方法通过激光吸收层阻挡激光脉冲，在衬底表面的局部区域内产生退火效果，控制半导体晶粒的形成位置，避免在器件内部的位置产生晶界。
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公开(公告)号：CN106549039A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610954919.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/122
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高性能的锗沟道量子阱场效应晶体管，包括半导体锗衬底；半导体锗衬底具有源端注入区和漏端注入区；源端注入区和漏端注入区之间的半导体锗衬底表面依次覆盖二维材料钝化层、栅极绝缘层和栅电极；源端注入区和漏端注入区均设有N+或P+有源注入区。本结构的量子阱晶体管在工作时能够获得比传统锗基金属氧化物半导体场效应晶体管更大的工作电流。栅叠层中的二维材料，由于其层数减少时能带结构会发生变化，特定层数对应的能带结构与锗的能带结构的相对位置偏差使锗沟道形成一个量子阱，这能有效地限制电子和空穴两种载流子的输运空间，减少载流子散射对迁移率的影响，提高器件工作电流，实现低功耗高性能的P型和N型晶体管。
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