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公开(公告)号：CN115722812A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211016331.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/70 , H01L21/78 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供单晶硅晶片的加工方法，能够缩短在晶片的内部形成了剥离层之后以该剥离层作为分离起点将晶片分离时的加工时间，并且能够降低器件发生破损的概率。对于按照晶面{100}所包含的特定的晶面(例如晶面(100))在正面和背面上分别露出的方式制造的单晶硅晶片，沿着与该特定的晶面平行且相对于晶向 所包含的特定的晶向(例如晶向[010])所成的角为5°以下的第1方向照射激光束，由此形成作为单晶硅晶片的正面侧与背面侧之间的分离起点的剥离层。
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公开(公告)号：CN110961803B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910869124.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/428 , H01L21/02 , B23K26/55
Abstract: 提供金刚石基板生成方法，能够从金刚石锭高效且廉价地生成金刚石基板。该金刚石基板生成方法包含如下的工序：剥离带形成工序，一边使金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(110)垂直的[110]方向上相对地移动一边对金刚石锭(2)照射激光光线(LB)，从而形成剥离带(22)；分度进给工序，将金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(001)平行且与[110]方向垂直的方向上相对地进行分度进给；剥离层形成工序，重复实施该剥离带形成工序和该分度进给工序而在金刚石锭(2)的内部形成与结晶面(001)平行的剥离层(24)；以及剥离工序，从金刚石锭(2)的剥离层(24)剥离要生成的金刚石基板。
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公开(公告)号：CN114654350A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111463423.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B19/22 , B24B41/00 , B24B41/04 , B24B41/06 , B24B47/12 , B24B47/22 , B24B49/12 , B23K26/36 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供晶片制造装置，其能够防止晶片的品质降低。晶片制造装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而进行平坦化；激光照射单元，其在距离锭的上表面相当于要制造的晶片的厚度的深度形成剥离层；晶片剥离单元，其对锭的上表面进行保持而从剥离层剥离晶片；托盘，其具有锭支承部和晶片支承部；以及传送带单元，其在锭磨削单元、激光照射单元以及晶片剥离单元之间搬送托盘所支承的锭。
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公开(公告)号：CN114256098A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111079214.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。
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公开(公告)号：CN108145307B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201711143027.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108372434B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810018298.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片生成方法，其能够经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：端面平坦化工序，使晶锭(2)的端面平坦化；剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成将晶片剥离的剥离层(42)；硬板配设工序，利用粘接剂将硬板(44)配设于形成有剥离层(42)的晶锭(2)的端面；和剥离工序，将SiC晶片(58)与硬板(44)一同从晶锭(2)的剥离层(42)剥离。
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公开(公告)号：CN113042915A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011421013.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 本发明提供SiC晶锭的加工方法和激光加工装置，该SiC晶锭的加工方法能够在SiC晶锭中形成适当的剥离带。SiC晶锭的加工方法包括下述工序：电阻值测量工序，测量SiC晶锭的端面的电阻值；激光光线输出调整工序，与利用电阻值测量工序测量的电阻值相对应地调整激光光线的输出；以及剥离带形成工序，将具有对于SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与要生成的晶片的厚度对应的深度，一边对SiC晶锭照射激光光线一边使SiC晶锭和聚光点沿X轴方向相对地进行加工进给，在SiC晶锭的内部形成带状的剥离带。
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公开(公告)号：CN106057737B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201610190979.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供薄板的分离方法。SiC基板具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，所述薄板的分离方法将在SiC基板的该第一面上通过外延生长而层叠的薄板从SiC基板分离，具有如下的步骤：分离起点形成步骤，从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的该第一面附近，并且使该聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点；以及分离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点起将该薄板从SiC基板分离。
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公开(公告)号：CN110961803A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910869124.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/55
Abstract: 提供金刚石基板生成方法，能够从金刚石锭高效且廉价地生成金刚石基板。该金刚石基板生成方法包含如下的工序：剥离带形成工序，一边使金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(110)垂直的[110]方向上相对地移动一边对金刚石锭(2)照射激光光线(LB)，从而形成剥离带(22)；分度进给工序，将金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(001)平行且与[110]方向垂直的方向上相对地进行分度进给；剥离层形成工序，重复实施该剥离带形成工序和该分度进给工序而在金刚石锭(2)的内部形成与结晶面(001)平行的剥离层(24)；以及剥离工序，从金刚石锭(2)的剥离层(24)剥离要生成的金刚石基板。
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公开(公告)号：CN106469679B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610674701.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
Abstract: 提供晶片的加工方法，将在SiC基板的第一面上通过相互交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片分割成一个个的器件芯片，具有：分割起点形成步骤，沿着形成于第一面的多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在第一面上配设保护部件；分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在分割起点的附近，一边使聚光点和SiC基板相对地移动一边对第二面照射激光束，形成与第一面平行的改质层和从改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点；和晶片分离步骤，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离。
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